YJB180G10BF2

RoHS YJB180G10B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 180A <3.3 mohm General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery Applications ● Power switching application ● Hard switched ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
PH YJB180G10B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на YJB180G10BF2 

Microsoft Word - YJB180G10B

Дата модификации: 12.11.2020

Размер: 1.23 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.