YJB180G10BF2
RoHS
YJB180G10B
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● 100% UIS Tested
● 100% ▽VDS Tested
100V
180A
<3.3 mohm
General Description
● Low RDS(on) & FOM
● Extremely low switching loss
● Excellent stability and uniformity
● Fast switching and soft recovery
Applications
● Power switching application
● Hard switched ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Истор. имя: YJB180G10B (YJ)
- Корпус: TO263
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO263 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PH | YJB180G10B (YJ) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJB180G10BF2
Microsoft Word - YJB180G10B
Дата модификации: 12.11.2020
Размер: 1.23 Мб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.