YJD212080NCFG1

SUNCOYJ
RoHS YJD212080NCFG1 COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 1200V ID（25°C） 39A RDS(on) 80mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltege ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoHS...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2474
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= ATSCM70G120W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD212080NCFG1 COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 1200V ID（25°C） 39A RDS(on) 80mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltege ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoHS compliant Typical Applications Typical applications are in power factor correction(PFC), solar inverter, uninterruptible power supply, motor drives, photovoltaic inverter, electric car and charger. Mechanical Data ● Package: TO247-4L ● Terminals: Tin plated leads ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (TC=25℃ Unless otherwise specified） PARAMTETER SYMBOL UNIT VALUE Device marking code TEST CONDITIONS NOTE D212080NCFG1 Drain source voltage @ Tj =25°C VDS,max V 1200 VGS=0 V, ID=100uA Gate source voltage @ Tj =25°C VGS,max V -8/+22 Absolute maximum values Note1 Gate source voltage @ Tj =25°C VGS,op V -4/+18 Recommended operational values Note2 39 VGS=18V, Tc=25℃ ID A 28 VGS=18V, Tc=100℃ 80 Pulse width tp limited by Tj,max 223 Tc=25°C , Tj = 175℃ 97 Tc=110°C, Tj = 175℃ Continuous drain current @ Tc=25°C Continuous drain current @ Tc=100°C Pulsed drain current ID(pulsed) A PTOT W Power Dissipation Power Dissipation Operating junction and Storage temperature range Fig.18 Fig.23 Fig.17 Tj ,Tstg °C -55 to +175 Soldering temperature TL °C 260 1.6mm (0.063’’) from case for 10s Mounting torque TM Nm 0.6 M3 screw Maximum of mounting process: 3 1/9 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD212080NCFG1 

MUR1060规格书

Дата модификации: 31.07.2023

Размер: 2.16 Мб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    29 июня 2023
    новость

    Новый высоковольтный SiC MOSFET YJD212040NCхG1 от SUNCOYJ для высокочастотных применений большой мощности

    С 2021 года рынок инверторов для солнечных панелей начал стремительно развиваться, что вызвало спрос на силовые компоненты SiC, применяемые в качестве ключевых элементов преобразователей энергии. Благодаря высокочастотным характеристикам... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)