Новый высоковольтный SiC MOSFET YJD212040NCхG1 от SUNCOYJ для высокочастотных применений большой мощности

29 июня 2023

С 2021 года рынок инверторов для солнечных панелей начал стремительно развиваться, что вызвало спрос на силовые компоненты SiC, применяемые в качестве ключевых элементов преобразователей энергии. Благодаря высокочастотным характеристикам полупроводниковых материалов третьего поколения частота переключения преобразователей может быть увеличена, что в свою очередь оптимизирует энергопотребление и габариты устройств.

Китайская компания SUNCOYJ, являющаяся одним из лидеров в производстве дискретных силовых полупроводниковых компонентов, анонсировала выпуск нового высоковольтного SiC MOSFET первого поколения. Транзистор выпускается в двух исполнениях (рисунок 1):

• YJD212040NCFG1 в корпусе TO247-4L;
• YJD212040NCTG1 в корпусе TO247AB.

Новый транзистор соответствует требованиям, предъявляемым к компонентам для применений в солнечной энергетике и электромобилях. Его характеристики переключения, пропускная способность и надежность не уступают аналогичным транзисторам других производителей, а используемые для производства материалы не наносят вред окружающей среде, что соответствует стандартам RoHS. Параметры транзистора приведены в таблице 1.

Особенности YJD212040NCхG1 производства компании SUNCOYJ:

• широкий диапазон рабочих температур кристалла и стойкость к высокой температуре;
• большое напряжение и малое время переключения, что подходит для высоковольтных и высокочастотных применений;
• очень низкий уровень сопротивления открытого канала, позволяющий минимизировать потери и затраты на охлаждение;
• корпусное исполнение TO247AB и TO247-4L;
• сертификация, подтверждающая соответствие строгим отраслевым стандартам надежности, включая испытания HTRB, HTGB и HV-H3TRB.

Рис. 1. Корпусное исполнение и назначение выводов транзистора YJD212040NCхG1

Таблица 1. Параметры транзистора YJD212040NCхG1 производства SUNCOYJ