Новый высоковольтный SiC MOSFET YJD212040NCхG1 от SUNCO для высокочастотных применений большой мощности
29 июня 2023
С 2021 года рынок инверторов для солнечных панелей начал стремительно развиваться, что вызвало спрос на силовые компоненты SiC, применяемые в качестве ключевых элементов преобразователей энергии. Благодаря высокочастотным характеристикам полупроводниковых материалов третьего поколения частота переключения преобразователей может быть увеличена, что в свою очередь оптимизирует энергопотребление и габариты устройств.
Китайская компания SUNCO, являющаяся одним из лидеров в производстве дискретных силовых полупроводниковых компонентов, анонсировала выпуск нового высоковольтного SiC MOSFET первого поколения. Транзистор выпускается в двух исполнениях (рисунок 1):
- YJD212040NCFG1 в корпусе TO247-4L;
- YJD212040NCTG1 в корпусе TO247AB.
Новый транзистор соответствует требованиям, предъявляемым к компонентам для применений в солнечной энергетике и электромобилях. Его характеристики переключения, пропускная способность и надежность не уступают аналогичным транзисторам других производителей, а используемые для производства материалы не наносят вред окружающей среде, что соответствует стандартам RoHS. Параметры транзистора приведены в таблице 1.
Особенности YJD212040NCхG1 производства компании SUNCO:
- широкий диапазон рабочих температур кристалла и стойкость к высокой температуре;
- большое напряжение и малое время переключения, что подходит для высоковольтных и высокочастотных применений;
- очень низкий уровень сопротивления открытого канала, позволяющий минимизировать потери и затраты на охлаждение;
- корпусное исполнение TO247AB и TO247-4L;
- сертификация, подтверждающая соответствие строгим отраслевым стандартам надежности, включая испытания HTRB, HTGB и HV-H3TRB.

Рис. 1. Корпусное исполнение и назначение выводов транзистора YJD212040NCхG1
Таблица 1. Параметры транзистора YJD212040NCхG1 производства SUNCO
Параметр | Наименование | ||
---|---|---|---|
YJD212040NCTG1 | YJD212040NCFG1 | ||
Корпус | TO247AB | TO247-4L | |
Диапазон рабочих температур кристалла (Tj), °C | -55…175 | ||
Полярность | N | ||
Максимальное напряжение «сток-исток» (VDS), В | 1200 | ||
Номинальный ток стока без учета ограничений корпуса (ID), А | Tj = 25°C | 63 | |
Tj = 100°C | 41 | ||
Максимальный импульсный ток, А | 160 | ||
Сопротивление открытого канала, мОм | VGS = 20 В, ID = 40 А | 42 | |
VGS = 20 В, ID = 40 А, Tj = 175°C | 72 | ||
Рассеиваемая мощность, Вт | Температура корпуса (Tc) = 25°C, Tj = 175°C | 300 | |
Tc = 110°C, Tj = 175°C | 95 | ||
Напряжение «затвор-исток», В | Максимальное | -10/25 | |
Номинальное | -5/20 | ||
Заряд затвора (Qg) при VDS = 800 В, ID = 40 А, нКл | 120 | ||
Входная емкость (Ciss) при VDS = 1000 В, VGS = 0 В, Tj = 25 °C, f = 1 МГц, VАС = 25 мВ, пФ |
2225 |
Наши информационные каналы