YJD60N02A

Yangjie
RoHS YJD60N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 20V 60A ＜6.0mohm ＜8.8mohm ＜14mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● M...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO60N02T1 (WAYON)
 
TO252
 
 — — — — — — —
A+ WMB90N02TS (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMO90N02T1 (WAYON)
 
TO252
 
 — — — — — — —
A+ CJU55N02 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJD60N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 20V 60A ＜6.0mohm ＜8.8mohm ＜14mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 60 TC=25℃ Drain Current A ID 38 TC=100℃ Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 210 A 29 W 11 W PD TC=100℃ Single Pulse Avalanche Energy B EAS 68 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case C RθJC 4.3 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD60N02A F1/F2 YJD60N02A 2500 / 25000 13“ reel 1/8 S-E602 Rev.3.1,28-Mar-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD60N02A 

Microsoft Word - YJD60N02A Rev 3.1

Дата модификации: 31.03.2022

Размер: 450.3 Кб

7 стр.

RoHS YJD60N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 20V 60A ＜6.0mohm ＜8.8mohm ＜14mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 60 TC=25℃ Drain Current ID A 42 TC=100℃ Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 210 A 35 W 18 W PD TC=100℃ Single Pulse Avalanche Energy B EAS 195 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case C RθJC 4.3 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+175 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD60N02A F2 YJD60N02A 2500 / 25000 13“ reel 1/7 S-E602 Rev.3.0,11-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD60N02A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 17.09.2020

Размер: 670.4 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)