YJD60N02A

SUNCOYJ
RoHS YJD60N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 20V 60A ＜6.0mohm ＜8.8mohm ＜14mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● M...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD90N02A (YJ)
 
— Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 20V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ CJU55N02 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ JMTK2006A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
A+ NCE2060K (NCE)
 
TO252
 
 ± — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJD60N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 20V 60A ＜6.0mohm ＜8.8mohm ＜14mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 60 TC=25℃ Drain Current A ID 38 TC=100℃ Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 210 A 29 W 11 W PD TC=100℃ Single Pulse Avalanche Energy B EAS 68 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case C RθJC 4.3 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD60N02A F1/F2 YJD60N02A 2500 / 25000 13“ reel 1/8 S-E602 Rev.3.1,28-Mar-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD60N02A 

Microsoft Word - YJD60N02A Rev 3.1

Дата модификации: 31.03.2022

Размер: 450.3 Кб

7 стр.

RoHS YJD60N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 20V 60A ＜6.0mohm ＜8.8mohm ＜14mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 60 TC=25℃ Drain Current ID A 42 TC=100℃ Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 210 A 35 W 18 W PD TC=100℃ Single Pulse Avalanche Energy B EAS 195 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case C RθJC 4.3 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+175 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD60N02A F2 YJD60N02A 2500 / 25000 13“ reel 1/7 S-E602 Rev.3.0,11-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD60N02A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 17.09.2020

Размер: 670.4 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)