Вход / Регистрация

YJG200G04BR

SUNCO
RoHS YJG200G04BR COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 200A ＜1.3mΩ ＜2mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCEP40T15GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
P- HGQ014N04A-G (CRMICRO)
 
PDFN568
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG200G04BR COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 200A ＜1.3mΩ ＜2mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 35 TA=25℃ 22 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 200 TC =100℃ 126 Pulsed Drain Current A Avalanche energy Unit B IDM 800 A EAS 625 mJ 3.1 TA=25℃ 1.25 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 156 TC =100℃ 62 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Thermal Resistance Junction-to-Case Symbol Typ Max Steady-State RθJA 35 40 Steady-State RθJC 0.65 0.8 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG200G04BR F1 G200G04BR 5000 10000 100000 13“ reel 1/8 S-E256 Rev.1.0,22-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG200G04BR 

Дата модификации: 22.09.2022

Размер: 789.8 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)