HGQ014N04A-G
Silicon
N-Channel
Power
MOSFET
R
○
HGQ014N04A-G
General Description：
HGQ014N04A-G, the silicon N-channel Enhanced
VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench
technology which reduce the conduction loss, improve switching
performance and enhance the avalanche energy. This device is
VDSS
40
V
ID (Silicon Limited)
200
A
ID (Package Limited)
100
A
PD
96
W
RDS(ON)Typ
1.1
m...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN568
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN568 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 6
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | JMSL0401AG (JIEJIE) | — |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | |||
| P- | NCEP40T15GU (NCE) | — |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | |||
| P- | YJG200G04BR (YJ) | — | в ленте 5000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | CJAC2R0SN04C (JSCJ) | — |  |  | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| A+ | CJAC200SN04 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.