YJG20P04A

SUNCO
RoHS YJG20P04A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -40 V -20 A ＜30 mΩ ＜45 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● High density cell design ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN5060-8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG20P04A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -40 V -20 A ＜30 mΩ ＜45 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power management ● Portable equipment ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS -40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V -6 TA=25℃ -3.8 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ -20 TC =100℃ -12 Pulsed Drain Current A Avalanche energy Unit B IDM -70 A EAS 50 mJ 2.5 TA=25℃ 1 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 31 TC =100℃ 12 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Thermal Resistance Junction-to-Case Symbol Typ Max Steady-State RθJA 40 50 Steady-State RθJC 3.2 4 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG20P04A F1 YJG20P04A 5000 10000 100000 13“ reel 1/7 S-E311 Rev.1.0,14-Mar-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG20P04A 

Дата модификации: 15.03.2023

Размер: 479.2 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    27 сентября 2023
    новость

    Новые P-канальные MOSFET-транзисторы SUNCO для коммутации цепей питания

    Применение полупроводникового компонента в качестве ключа, коммутирующего питание нагрузки, позволяет осуществить более интеллектуальное управление с защитой цепей и оборудования от чрезмерных токов в момент переключения. Постоянно растущий спрос... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)