Новые P-канальные MOSFET-транзисторы SUNCOYJ для коммутации цепей питания
27 сентября 2023
Применение полупроводникового компонента в качестве ключа, коммутирующего питание нагрузки, позволяет осуществить более интеллектуальное управление с защитой цепей и оборудования от чрезмерных токов в момент переключения. Постоянно растущий спрос на приложения в таких областях, как искусственный интеллект, обработка данных и прочие, где используются серверы и персональные компьютеры, требует надежных решений по коммутации питания. Например, P-канальные MOSFET позволяют коммутировать питание в цепи положительной полярности.
Компания SUNCOYJ недавно расширила ряд таких транзисторов: новые MOSFET рассчитаны на максимальные напряжение «сток-исток» 40 В и ток 3, 20, 30 и 60 А (таблица 1). Они имеют корпуса для поверхностного монтажа SOT-23-3, PDFN5060-8L и TO-252 (рисунок 1), обладают широкой областью безопасной работы (SOA) и высокой надежностью.
Особенности новых P-канальных транзисторов SUNCOYJ:
- технология Trench Power LV;
- низкое сопротивление открытого канала;
- высокая скорость переключения;
- крайне малые потери на переходных процессах;
- отличная стабильность и повторяемость;
- соответствие RoHS.
Рис. 1. Внешний вид корпусов новых P-канальных транзисторов SUNCOYJ
Таблица 1. Характеристики новых P-канальных MOSFET
| Наименование | Напряжение «исток-сток» (VDS), В | Ток стока (ID), А | Пороговое напряжение затвора (Vth), В | Сопротивление перехода (Rdson) при VGS = 10 В, мОм | Общий заряд затвора (Qg), нКл | Диапазон рабочих температур кристалла, °C | Корпус | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин. | Ном. | Макс. | Ном. | Макс. | ||||||
| YJL03P04A | -40 | -3 | -1,0 | -1,5 | -2,5 | 61 | 80 | 8,5 | -55…150 | SOT-23-3 |
| YJG20P04A | -20 | -1,1 | -1,6 | -2,5 | 23 | 30 | 17 | PDFN5060-8L | ||
| YJD30P04A | -30 | TO-252 | ||||||||
| YJG60P04A | -60 | -1,2 | -1,7 | -2,5 | 5,5 | 7,5 | 99 | PDFN5060-8L | ||
Компания SUNCOYJ – крупнейший IDM-производитель (т.е. компания полного цикла) Китая, ведущий в стране изготовитель дискретных силовых полупроводников.
Компания основана в 2000 году в городе Янчжоу, провинция Цзяньсу. Первыми изделиями, с которыми компания вышла на рынок полупроводников, стали силовые диоды и мостовые выпрямители. Неуклонно расширяя и технологически совершенствуя производство, компания объединила под своим крылом все его стадии – от производства кремниевых пластин до изготовлени ...читать далее
Наши информационные каналы