YJG60P04AF1

SUNCOYJ
RoHS YJG60P04A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested -40V -60A ＜8.0mohm ＜12mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Power switch ● DC/DC converters ● Lo...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG60P04A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested -40V -60A ＜8.0mohm ＜12mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Power switch ● DC/DC converters ● Load switch in high current applications ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS -40 V Gate-source Voltage VGS ±25 V TC=25℃ Unit -60 Drain Current ID A TC=100℃ -38 Pulsed Drain Current A IDM -210 A 83 W 33 W PD 7.4 W Single Pulse Avalanche Energy B EAS 400 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case C RθJC 1.5 ℃/ W Thermal Resistance Junction-to-Ambient C RθJA 17 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ TC=25℃ Total Power Dissipation PD TC=100℃ Total Power Dissipation TA=25℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG60P04A F1 YJG60P04A 5000 10000 100000 13“ reel 1/6 S-E122 Rev.1.0,02-Feb-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG60P04AF1 

Microsoft Word - YJG60P04A Rev1.0

Дата модификации: 18.02.2021

Размер: 960.8 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    27 сентября 2023
    новость

    Новые P-канальные MOSFET-транзисторы SUNCOYJ для коммутации цепей питания

    Применение полупроводникового компонента в качестве ключа, коммутирующего питание нагрузки, позволяет осуществить более интеллектуальное управление с защитой цепей и оборудования от чрезмерных токов в момент переключения. Постоянно растущий спрос... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)