YJG60P04AF1
RoHS
YJG60P04A
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=-10V)
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V)
● 100% UIS Tested
● 100% ▽VDS Tested
-40V
-60A
<8.0mohm
<12mohm
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● High density cell design for Low RDS(ON)
● High Speed switching
Applications
● Power switch
● DC/DC converters
● Lo...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | — | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJG60P04AF1
Microsoft Word - YJG60P04A Rev1.0
Дата модификации: 18.02.2021
Размер: 960.8 Кб
6 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.