YJG60P04AF1

RoHS YJG60P04A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested -40V -60A <8.0mohm <12mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Power switch ● DC/DC converters ● Lo...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
27 сентября 2023
новость

Новые P-канальные MOSFET-транзисторы SUNCO для коммутации цепей питания

Применение полупроводникового компонента в качестве ключа, коммутирующего питание нагрузки, позволяет осуществить более интеллектуальное управление с защитой цепей и оборудования от чрезмерных токов в момент переключения. Постоянно растущий спрос... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.