YJH10N02A

Yangjie
RoHS YJH10N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) 20 V 10 A ＜11 mohm ＜15 mohm ＜20 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-89
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMR15N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WM02DN110C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ WM02DN095C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ WM02DN560Q (WAYON)
 
DFN83X3
 
 — — — — — — —
A+ JMTV100N02A (JIEJIE)
 
DFN62X2 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJH10N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) 20 V 10 A ＜11 mohm ＜15 mohm ＜20 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 10 TA=25℃ Drain Current A ID 8 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation 43 A 1.5 W 4.0 W PD TC=25℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 83 ℃/ W Thermal Resistance Junction-to-Case RθJC 31 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE F1 2010 1000 10000 40000 7“ reel F2 2010 1000 8000 32000 7“ reel YJH10N02A 1/7 S-E601 Rev.3.1,3-Nov-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJH10N02A 

Microsoft Word - YJH10N02A

Дата модификации: 04.11.2022

Размер: 519.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)