YJJ06P03B

RoHS YJJ06P03B COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -30V -6A <43mΩ <65mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Appl...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT236
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJL3407 (JSCJ)
 
SOT236L ±
P- IRFTS9342TRPBF-VB (VBSEMI)
 
в ленте 10 шт
 
P- IRFTS9342TRPBF (JSMICRO)
 

IRFTS9342TRPBF (INFIN)
300 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.