YJJ06P03B
RoHS
YJJ06P03B
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=-10V)
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V)
-30V
-6A
<43mΩ
<65mΩ
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● High density cell design for Low RDS(ON)
● High Speed switching
● Moisture Sensitivity Level 1
● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating
● Halogen Free
Appl...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT236
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT236 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJL3407 (JSCJ) | SOT236L |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
| P- | IRFTS9342TRPBF-VB (VBSEMI) | — | в ленте 10 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | IRFTS9342TRPBF (JSMICRO) IRFTS9342TRPBF (INFIN) | — | 300 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.