CJL3407
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJL3407 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
V(BR)DSS
\60mΩ@-10 V
-30V
SOT-23-6L
ID
RDS(on)MAX
-4.1A
87mΩ@-4.5V
General Description
The CJL3407 uses advanced trench technology to provide excellent
RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use as a load
switch or in PWM...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT236L
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT236L | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | YJS2305A (YJ) | — | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| P- | YJJ06P03B (YJ) | SOT236 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | — | ||
| P- | IRLMS5703TRPBF-VB (VBSEMI) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | IRLMS6702TRPBF-VB (VBSEMI) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.