YJQ10N02A

Yangjie
RoHS YJQ10N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 13A ＜9mohm ＜12mohm ＜18.5mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching DFN2x2-6L Applications ● Battery prote...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN2020MD6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMR13N02TS (WAYON)
 
DFN2020MD6
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ WMR15N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WM02DN560Q (WAYON)
 
DFN83X3
 
 — — — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJQ10N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 13A ＜9mohm ＜12mohm ＜18.5mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching DFN2x2-6L Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V TA=25℃ Unit 13 Drain Current ID A TA=70℃ 8 Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation 32 A 2.2 W 1.4 W PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 57 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJQ10N02A F1 Q10N02 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E006 Rev.3.1,22-Feb-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJQ10N02AF1 

Microsoft Word - YJQ10N02A Rev 3.1

Дата модификации: 23.02.2021

Размер: 1.25 Мб

7 стр.

RoHS YJQ10N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 13A ＜9mohm ＜12mohm ＜18.5mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching DFN2020-6L Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 13 TA=25℃ Drain Current ID A 8 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation 32 A 2.2 W 1.4 W PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 57 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJQ10N02A F1 Q10N02 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E006 Rev.3.0,25-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJQ10N02A 

Microsoft Word - YJQ10N02A Rev 3.0

Дата модификации: 24.09.2020

Размер: 1.3 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)