YJQ10N02A

SUNCOYJ
RoHS YJQ10N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 13A ＜9mohm ＜12mohm ＜18.5mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching DFN2x2-6L Applications ● Battery prote...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN2020MD6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMR15N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ LN2324DT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
 ± — — — — — —
A+ LP7203DT1WG (LRC)
 
—
 
 ± — — — — — —
A+ LN8210DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8206DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJQ10N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 13A ＜9mohm ＜12mohm ＜18.5mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching DFN2x2-6L Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V TA=25℃ Unit 13 Drain Current ID A TA=70℃ 8 Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation 32 A 2.2 W 1.4 W PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 57 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJQ10N02A F1 Q10N02 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E006 Rev.3.1,22-Feb-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJQ10N02AF1 

Microsoft Word - YJQ10N02A Rev 3.1

Дата модификации: 23.02.2021

Размер: 1.25 Мб

7 стр.

RoHS YJQ10N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 13A ＜9mohm ＜12mohm ＜18.5mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching DFN2020-6L Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 13 TA=25℃ Drain Current ID A 8 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation 32 A 2.2 W 1.4 W PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 57 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJQ10N02A F1 Q10N02 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E006 Rev.3.0,25-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJQ10N02A 

Microsoft Word - YJQ10N02A Rev 3.0

Дата модификации: 24.09.2020

Размер: 1.3 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)