YJQ55P02A

SUNCOYJ
RoHS YJQ55P02A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= -4.5V) ● RDS(ON)( at VGS= -2.5V) ● RDS(ON)( at VGS= -1.8V) ● 100% EAS Tested -20V -55A ＜8.3mohm ＜10.0mohm ＜15.0mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN83X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJQ55P02A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= -4.5V) ● RDS(ON)( at VGS= -2.5V) ● RDS(ON)( at VGS= -1.8V) ● 100% EAS Tested -20V -55A ＜8.3mohm ＜10.0mohm ＜15.0mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency Circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS -20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V Tc=25℃ Unit -55 Drain Current ID A Tc=100℃ -35 Pulsed Drain Current A IDM -160 A Single Pulse Avalanche Energy B EAS 75 mJ Tc=25℃ 38 Total Power Dissipation PD W Tc=100℃ 15 RθJC 3.3 RθJA 39 TJ ,TSTG -55～+150 ℃/ W Thermal Resistance Junction-to-Case C Junction and Storage Temperature Range ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJQ55P02A F1 Q55P02A 5000 10000 100000 13“ reel 1/7 S-E644 Rev.3.2,20-Mar-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJQ55P02A 

Дата модификации: 15.04.2022

Размер: 784.8 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCOYJ

    Новые серии MOSFET производства SUNCOYJ – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)