YJQ55P02A

RoHS YJQ55P02A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= -4.5V) ● RDS(ON)( at VGS= -2.5V) ● RDS(ON)( at VGS= -1.8V) ● 100% EAS Tested -20V -55A <8.3mohm <10.0mohm <15.0mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN83X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Документация на YJQ55P02A 

Дата модификации: 15.04.2022

Размер: 784.8 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 марта
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCOYJ

    Новые серии MOSFET производства SUNCOYJ – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.