YJS15G10A

RoHS YJS15G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested 100V 15A <9.5 mohm <12.5 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ LN7706DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7609DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76082DT1WG (LRC)
 
 
±
A+ LN76076DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76072DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7604DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76042NDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LNB8614DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ NCEP092N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±

Файлы 1

показать свернуть
Документация на YJS15G10A 

Дата модификации: 27.03.2023

Размер: 929.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.