YJS15G10A

SUNCOYJ
RoHS YJS15G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested 100V 15A ＜9.5 mohm ＜12.5 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ NCEP092N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —
A+ LN7706DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN7609DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN76082DT1WG (LRC)
 
—
 
 ± — — — — — —
A+ LN76076DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN76072DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN7604DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN76042NDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8614DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS15G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested 100V 15A ＜9.5 mohm ＜12.5 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC/DC Primary Side Switch ● Telecom/Server ● Synchronous Rectification ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Maximum Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ Unit 15 Drain Current ID A TA =100℃ 9.5 Pulsed Drain Current A IDM 75 A Avalanche Energy, Single Pulse(L=0.5mH) EAS 200 mJ Total Power Dissipation B PD 3.8 W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient C t≤10S Thermal Resistance Junction-to-Ambient C Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Lead Steady-State Typ Max 25 32 47 60 13 20 Units RθJA RθJL ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS15G10A F2 Q15G10A 4000 8000 64000 13“ reel 1/6 S-E407 Rev.3.2,22-Mar-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS15G10A 

Дата модификации: 27.03.2023

Размер: 929.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)