YJS15G10A

SUNCO
RoHS YJS15G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested 100V 15A ＜9.5 mohm ＜12.5 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ LNB8614DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LN7706DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN7609DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN76082DT1WG (LRC)
 
—
 
 ± — — — — — —
A+ LN76076DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN76072DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN7604DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN76042NDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ NCEP092N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS15G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested 100V 15A ＜9.5 mohm ＜12.5 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC/DC Primary Side Switch ● Telecom/Server ● Synchronous Rectification ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Maximum Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ Unit 15 Drain Current ID A TA =100℃ 9.5 Pulsed Drain Current A IDM 75 A Avalanche Energy, Single Pulse(L=0.5mH) EAS 200 mJ Total Power Dissipation B PD 3.8 W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient C t≤10S Thermal Resistance Junction-to-Ambient C Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Lead Steady-State Typ Max 25 32 47 60 13 20 Units RθJA RθJL ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS15G10A F2 Q15G10A 4000 8000 64000 13“ reel 1/6 S-E407 Rev.3.2,22-Mar-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS15G10A 

Дата модификации: 27.03.2023

Размер: 929.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)