Вход / Регистрация

YJS4606A

SUNCO
RoHS YJS4606A COMPLIANT N-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFET Product Summary NMOS ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 30V 6A ＜18mohm ＜30mohm PMOS ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -30V -5A ＜45mohm ＜65mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for low RDS(ON) ● High Speed switchi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 100  шт. (в ленте)
  • снято с производства

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRF7317 (EVVO)
 

IRF7317 (INFIN) 		SOP-8 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF9952 (EVVO)
 

IRF9952 (INFIN) 		SOP-8 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS4606A COMPLIANT N-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFET Product Summary NMOS ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 30V 6A ＜18mohm ＜30mohm PMOS ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -30V -5A ＜45mohm ＜65mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Wireless charger ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol N-Channel P-Channel Drain-source Voltage VDS 30 -30 V Gate-source Voltage VGS ±20 ±20 V 6 -5 4.8 -4 24 -20 A 2 2 W 1.2 1.2 W TA=25℃ Drain Current ID A TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation Unit PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 62.5 62.5 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS4606A F2 YJS4606A 4000 8000 64000 13“ reel 1 / 10 S-E039 Rev.3.2,5-Jan-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS4606A 

Дата модификации: 06.01.2022

Размер: 905.9 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)