YJS4606A

Yangjie
RoHS YJS4606A COMPLIANT N-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFET Product Summary NMOS ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 30V 6A ＜18mohm ＜30mohm PMOS ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -30V -5A ＜45mohm ＜65mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for low RDS(ON) ● High Speed switchi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 100  шт. (в ленте)
  • снято с производства

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRF7317 (EVVO)
 

IRF7317 (INFIN) 		SOP-8 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF9952 (EVVO)
 

IRF9952 (INFIN) 		SOP-8 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS4606A COMPLIANT N-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFET Product Summary NMOS ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 30V 6A ＜18mohm ＜30mohm PMOS ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -30V -5A ＜45mohm ＜65mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Wireless charger ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol N-Channel P-Channel Drain-source Voltage VDS 30 -30 V Gate-source Voltage VGS ±20 ±20 V 6 -5 4.8 -4 24 -20 A 2 2 W 1.2 1.2 W TA=25℃ Drain Current ID A TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation Unit PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 62.5 62.5 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS4606A F2 YJS4606A 4000 8000 64000 13“ reel 1 / 10 S-E039 Rev.3.2,5-Jan-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS4606A 

Дата модификации: 06.01.2022

Размер: 905.9 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)