YJT300G10A

SUNCOYJ
RoHS YJT300G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=6V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 300A ＜1.55mΩ ＜2.4mΩ General Description ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free ● Moisture Sensi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TOLL
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJT300G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=6V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 300A ＜1.55mΩ ＜2.4mΩ General Description ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free ● Moisture Sensitivity Level 1 Applications ● High power inverter system ● Uninterruptible power supply ● LCDM appliances ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 23 TA=25℃ 16 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 300 TC =100℃ 212 Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 900 A EAS 2116 mJ 3.3 TA=25℃ 1.6 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 375 TC =100℃ 187 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+175 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 38 45 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 0.25 0.5 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) YJT300G10A F1 YJT300G10A 2000 4000 20000 DELIVERY MODE 13“ reel 1/8 S-E375 Rev.1.0,25-Jul-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJT300G10A 

Дата модификации: 02.08.2024

Размер: 713.3 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    08 февраля 2024
    новость

    Новые MOSFET N100V производства SuncoYJ для высокомощных устройств

    Компания SuncoYJ объявила о выпуске новых МОП–транзисторов (MOSFET), выполненных по технологии SGT, которая позволяет уменьшить сопротивление открытого канала и расширить область безопасной работы (SOA), одновременно снизив входную емкость.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)