1N65G
UMW
R
UMW 1N65
HANNEL POWER MOSFET
NN-沟道功率 MOS 管// N-C
N-CHANNEL
TC=25
●最大额定值（TC=25
TC=25°°C）
（Tc=25
●Absolute Maximum Ratings
Ratings（
Tc=25°°C） TO-92/251T/251S/252/223
单位
UNIT
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
额定值
VALUE
漏-源电压
Drain-source Voltage
VDS
650
V
Ω
RDS(ON)=11
11Ω
VGS
±30
V
ID=1.0A
ID
1.0*
ID
0.6*
A
IDM
4.0*
A
栅-源电压
gate-source Voltage
漏...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-223
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-223 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 6
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | CJPF02N65 (JSCJ) | TO220F |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | 2N65G (YOUTAI) | SOT-223 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  | — | |
| A+ | 2N65L (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  | — | |
| A+ | 1N65L (YOUTAI) | TO252 |
|  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CJD02N65 (JSCJ) | TO251 |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | IRFBE20PBF-[TO-220] (KLS) | — | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.