1N65G

UMW R UMW 1N65 HANNEL POWER MOSFET NN-沟道功率 MOS 管// N-C N-CHANNEL TC=25 ●最大额定值(TC=25 TC=25°°C) (Tc=25 ●Absolute Maximum Ratings Ratings( Tc=25°°C) TO-92/251T/251S/252/223 单位 UNIT 参数 PARAMETER 符号 SYMBOL 额定值 VALUE 漏-源电压 Drain-source Voltage VDS 650 V Ω RDS(ON)=11 11Ω VGS ±30 V ID=1.0A ID 1.0* ID 0.6* A IDM 4.0* A 栅-源电压 gate-source Voltage 漏...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJD02N65 (JSCJ)
 
TO251
 
±
A+ 1N65L (YOUTAI)
 
TO252
A+ 2NM65G-TN3-R (UTC)
 
TO-252-3
A+ 2N65L-TM3-T (UTC)
 
TO-251-3
 
A+ 2N65G-TM3-T (UTC)
 
TO-251-3
 
A+ 1N65G-AA3-R (UTC)
 
SOT-223
A+ IRFBE20PBF-[TO-220] (KLS)
 
в линейках 50 шт
 
A+ 2N65L (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ 2N65G (YOUTAI)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт

Файлы 1

показать свернуть
UMW R UMW 1N65 HANNEL POWER MOSFET NN-沟道功率 MOS 管// N-C N-CHANNEL TC=25 ●最大额定值(TC=25 TC=25°°C) (Tc=25 ●Absolute Maximum Ratings Ratings( Tc=25°°C) TO-92/251T/251S/252/223 单位 UNIT 参数 PARAMETER 符号 SYMBOL 额定值 VALUE 漏-源电压 Drain-source Voltage VDS 650 V Ω RDS(ON)=11 11Ω VGS ±30 V ID=1.0A ID 1.0* ID 0.6* A IDM 4.0* A 栅-源电压 gate-source Voltage 漏极电流 Continuous Drain Current TC=25℃ 漏极电流 Continuous Drain Current TC=100℃ 最大脉冲电流 Drain Current -Pulsed ① 耗散功率 Power Dissipation (TL=25°C) PD 最高结温 Junction Temperature Tj TO-92 TO-251T/251S/252/223 150 存储温度 TSTG -55-150 Storage Temperature 单脉冲雪崩能量 Single Pulse Avalanche EAS 14 ② Energy② *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature VDS =650V A W °C °C mJ SOT-223 Tc=25 ●电特性(Tc=25 Tc=25°°C) (Tc=25 ●Electronic Characteristics Characteristics( Tc=25°°C) 参数 PARAMETER 符号 SYMBOL 测试条件 TEST CONDITION 最小值 MIN BVDSS VGS=0V, ID=250µA 650 ΔBVDSS/ ΔTj ID=250uA, Referenced to 25°C VGS(TH) VGS=VDS, ID=250µA 漏-源漏电流 Drain-source Leakage Current IDSS VDS =600V, VGS =0V, Tj=25°C VDS =480V, VGS =0V, Tj=125°C 跨导 Forward Transconductance gfs 漏-源击穿电压 Drain-source Breakdown Voltage 击穿电压温度系数 Breakdown Voltage Temperature Coefficient 栅极开启电压 Gate Threshold Voltage www.umw-ic.com VDS =40V, ID=0.5A ③ 1 典型值 TYP 最大值 MAX V 0.6 2.0 0.5 单位 UNIT V/°C 4.0 V 25 µA 250 µA S 友台半导体有限公司 PDF
Документация на 1N65L 

Дата модификации: 17.08.2021

Размер: 708.9 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.