AO4443
UMW
R
AO4443
-40V P-Channel
Enhancement Mode MOSFET
Description
The AO4443 uses advanced trench technology
to provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This
device is suitable for use as a
Battery protection or in other Switching application.
General Features
VDS = -40V ID = -8 A
RDS(ON) < 37mΩ @ VGS=10V
Application
Battery protection
L...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOP-8
- Норма упаковки: 50 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOP-8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.