AO4486

UMW
UMW R AO4486 N-Channel MOSFET General Description D The AO4486 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON).This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting. G Product Summary S VDS (V) = 100V ID = 4.2A RDS(ON) < 79mΩ (VGS = 10V) RDS(O...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJQ07N10 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 ± — — — — —
A+ WMS240N10LG2 (WAYON)
 
— 4000 шт
 
 — — — — —
A+ NCE0108AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
A+ WMS06N10TS (WAYON)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R AO4486 N-Channel MOSFET General Description D The AO4486 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON).This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting. G Product Summary S VDS (V) = 100V ID = 4.2A RDS(ON) < 79mΩ (VGS = 10V) RDS(ON) < 94mΩ (VGS = 4.5V) Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Drain-Source Voltage VDS Gate-Source Voltage VGS TA=25°C Continuous Drain Current Units V ±20 V 4.2 ID TA=70°C Maximum 100 3.4 A Pulsed Drain Current C IDM 31 Avalanche Current C IAS, IAR 14 A Avalanche energy L=0.1mH C TA=25°C EAS, EAR 10 mJ Power Dissipation B TA=70°C Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Maximum Junction-to-Ambient A Maximum Junction-to-Ambient A D Maximum Junction-to-Lead www.umw-ic.com 3.1 PD -55 to 150 TJ, TSTG Symbol t ≤ 10s Steady-State Steady-State W 2 Typ 31 59 16 RθJA RθJL 1 °C Max 40 75 24 Units °C/W °C/W °C/W UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на AO4486 

UMW AO4486

Дата модификации: 29.07.2022

Размер: 622.1 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)