AO4832

UMW
UMW R AO4832 30V N-Channel MOSFET General Description D2 D1 The AO4832 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for high side switch in SMPS and general purpose applications. G2 G1 S2 S1 Product Summary VDS ID (at VGS=10V) 30V 10A RDS(ON) (at VGS=10V) < 13mΩ RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 17.5mΩ S2 G2 S1 G1 Abso...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJSD12N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
A+ AO4884 (YOUTAI)
 
—
 
 — —
A+ LDN4308T1G (LRC)
 
SOP-8
 
 ± — — — — — —
A+ LDN8308DT1AG (LRC)
 
—
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R AO4832 30V N-Channel MOSFET General Description D2 D1 The AO4832 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for high side switch in SMPS and general purpose applications. G2 G1 S2 S1 Product Summary VDS ID (at VGS=10V) 30V 10A RDS(ON) (at VGS=10V) < 13mΩ RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 17.5mΩ S2 G2 S1 G1 Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Drain-Source Voltage VDS Gate-Source Voltage VGS TA=25°C Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Avalanche Current C C Avalanche energy L=0.1mH TA=25°C Power Dissipation B Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Maximum Junction-to-Ambient A Maximum Junction-to-Ambient A D Maximum Junction-to-Lead www.umw-ic.com Steady-State Steady-State Maximum 30 Units V ±20 V A 8 55 IAS, IAR 22 A EAS, EAR 24 mJ 2 W 1.3 -55 to 150 TJ, TSTG Symbol t ≤ 10s 7 6 5 D2 D2 D1 D1 IDM PD TA=70°C 8 10 ID TA=70°C C 1 2 3 4 Typ 48 74 32 RθJA RθJL 1 °C Max 62.5 90 40 Units °C/W °C/W °C/W UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на AO4832 

UMW AO4832

Дата модификации: 21.09.2022

Размер: 434.2 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)