FDN304P

UMW
МОП-транзистор с P-каналом; напряжение сток-исток -20 В; ток стока -2.4 А; сопротивление открытого канала 52 мОм; пороговое напряжение включения -1.5 В; напряжение затвор-исток: ±8 В; максимальная рассеиваемая мощность 1.1 Вт; корпус SOT-23
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид FDN304P

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRLML6402 (YOUTAI)
 

IRLML6402 (INFIN) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт ± — — —
P- CJ2321A (JSCJ)
 
SOT-23-3 10 шт
 
 — — ± — — — — —
P- CJ2321 (JSCJ)
 
SOT-23-3 10 шт
 
 — —
P- YJL2301C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- YJL2305B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- YJL3415A (YJ)
 
—
 
 — —
P- JMTL2301C (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P- JMTL3415KL (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P- CRTJ380P02U2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
 — — —
P- IRLML6402TR (YOUTAI)
 

IRLML6402TR (INFIN) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- YJL2305BQ (YJ)
 
—
 
 — —
P- JMTL2305A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
P- YJL2301CQ (YJ)
 
—
 
 — —
P- CJ2321 SOT-23 (JSCJ)
 
—
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R UMW FDN304P SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS FDN304P P-Channel 20-V(D-S) MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 52mΩ@ -4.5V -20 V -2.4A 70mΩ@ -2.5V 100mΩ@ -1.8V FEATURE APPLICATION ● TrenchFET Power MOSFET ※ Battery protection ● Supper high density cell design ※ Load switch ※ Battery management MARKING Equivalent Circuit SOT–23 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Maximum ratings ( Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Drain-Source Voltage VDS -20 Gate-Source Voltage VGS ±8 ID -2.4 Pulsed Diode Curren IDM -10 Power Dissipation PD 1.1 W RθJA 250 ℃/W TJ 150 ℃ TSTG -55~+150 ℃ Continuous Drain Current Thermal Resistance from Junction to Ambient (t≤10s) Operating Junction Storage Temperature www.umw-ic.com 1 Unit V A 友台半导体有限公司 PDF
Документация на FDN304P 

Subject:

Дата модификации: 24.12.2022

Размер: 819.7 Кб

3 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 августа 2022
    новость

    Компоненты UMW – на складе Компэл

    На склад Компэл поступила партия компонентов UMW (Youtai). Компания UMW специализируется на производстве полных аналогов популярных микросхем и дискретных компонентов. В номенклатуре UMW можно найти полные аналоги интегральных... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)