IRF4905

UMW R IRF4905 P-Ch 6 0V Fast Switching MOSFETs Product Summary  100% EAS Guaranteed  Green Device Available  Super Low Gate Charge  Excellent CdV/dt effect decline  Advanced high cell density Trench technology Description BVDSS RDSON ID -60V 25mΩ -45A TO220 Pin Configuration The IRF4905 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charg...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJP50P06S (JSCJ)
 
TO2203L в линейках 1000 шт
 
±
P- NCE60P82AD (NCE)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.