Вход / Регистрация

NCE60P82AD

NCE
NCE60P82AD http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P82AD uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-82A RDS(ON) <13mΩ @ VGS=-10V Schematic diagram RDS(ON) <16mΩ @ VGS=-4.5V ● High density c...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJP50P06S (JSCJ)
 
TO2203L в линейках 1000 шт
 
 ± — — — — —
P- CJU65P06 (JSCJ)
 
TO2522L 10 шт
 
 ± — — — — —
P- YJD50GP06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — —
P- WMM80P06TS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
P- IRF5305S (JSMICRO)
 
— в ленте 200 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF4905STRL (YOUTAI)
 

IRF4905STRL (INFIN) 		TO252 в ленте 800 шт
 
 — — —
P- IRF4905 (YOUTAI)
 

IRF4905 (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- WMO95P06TS (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMPL0622AK (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF4905S (EVVO)
 

IRF4905S (INFIN) 		TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — — —
P- IRF5305S (EVVO)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE60P82AD http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P82AD uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-82A RDS(ON) <13mΩ @ VGS=-10V Schematic diagram RDS(ON) <16mΩ @ VGS=-4.5V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation Application Marking and pin assignment ● Load switch 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! TO-263-2L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE60P82AD NCE60P82AD TO-263-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID -82 A ID (100℃) -58 A Pulsed Drain Current IDM -328 A Maximum Power Dissipation PD 150 W 1.0 W/℃ EAS 722 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 1.0 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance, Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page1 V1.0 PDF
Документация на NCE60P82AD 

Microsoft Word - NCE60P82AD data sheet.doc

Дата модификации: 16.07.2021

Размер: 324.9 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 марта 2024
    новость

    На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

    Продукция китайского фаблесс–производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)