IRF7341TRUMW

UMW
UMW R IRF7341 Description The SOP-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques....
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ AO4826 (YOUTAI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ AO4828 (YOUTAI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ YJS05N06A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R IRF7341 Description The SOP-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application. l l l l l l l S1 1 8 D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 4 5 D2 G2 SOP-8 Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel Mosfet Surface Mount Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free Features l VDS (V) = 55V l ID= 4.7A (VGS=10V) l RDS(ON) 30m (VGS = 10V) l RDS(ON) 45m (VGS = 4.5V) Absolute Maximum Ratings Parameter VDS ID @ TC = 25°C ID @ TC = 70°C IDM PD @TC = 25°C PD @TC = 70°C VGS VGSM EAS dv/dt TJ, TSTG Drain- Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current  Power Dissipation Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Single Pulse tp<10µs Single Pulse Avalanche Energy‚ Peak Diode Recovery dv/dt ƒ Junction and Storage Temperature Range Max. Units 55 4.7 3.8 38 2.0 1.3 0.016 ± 20 30 72 5.0 -55 to + 150 V A W W/°C V V V/ns °C Thermal Resistance Parameter RθJA www.umw-ic.com Typ. Maximum Junction-to-Ambient 1 Max. Units 62.5 °C/W UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на IRF7341TRUMW 

UMW IRF7341TR

Дата модификации: 15.12.2022

Размер: 374.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)