Вход / Регистрация

YJS05N06A

SUNCO
RoHS YJS05N06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 60V 5.0A ＜44mohm ＜49mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ●High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Rati...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJS05N06A
Внешний вид YJS05N06A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJQ4828 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 110 шт
 
 ± — — — — —
P= STS4DNF60L (VBSEMI)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= WMS08DN06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= IRF7341TRPBF (VBSEMI)
 

IRF7341TRPBF (INFIN) 		— 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
P- JMTP110N06D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF7341TR (YOUTAI)
 

IRF7341TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- JMTP330N06D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- CS5N06AE-1 (CRMICRO)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CRMM4900D (CRMICRO)
 
SOP8L
 
 — — —
P- NCE60ND03S (NCE)
 
DFN-8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- NCE60ND08S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7351 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт — — — — —
P- CJQ12SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
A+ AO4826 (YOUTAI)
 
— в ленте 50 шт
 
 — —
A+ AO4828 (YOUTAI)
 
— 1 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS05N06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 60V 5.0A ＜44mohm ＜49mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ●High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Maximum Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 5.0 TA=25℃ @ Steady State Drain Current ID A 4.0 TA=70℃ @ Steady State Pulsed Drain Current A IDM 25 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 3.1 W RθJA 40.3 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS05N06A F2 Q05N06 4000 8000 64000 13“ reel 1/7 S-E627 Rev.3.0,14-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS05N06AF2 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 24.09.2020

Размер: 670.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)