YJS05N06A

RoHS YJS05N06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 60V 5.0A <44mohm <49mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ●High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Rati...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJQ4828 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 110 шт
 
±
P= WMS08DN06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P= IRF7351TR (YOUTAI)
 
в ленте 3000 шт
 
P- NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
P- IRF7341TR (YOUTAI)
 

IRF7341TR (INFIN)
SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
P- CS5N06AE-1 (CRMICRO)
 
SO-8 SOIC8
 
P- JMTP330N06D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
A+ AO4826 (YOUTAI)
 
50 шт
 
A+ AO4828 (YOUTAI)
 
1 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.