Вход / Регистрация

YJS05N06A

SUNCO
RoHS YJS05N06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 60V 5.0A ＜44mohm ＜49mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ●High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Rati...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJS05N06A
Внешний вид YJS05N06A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJQ4828 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 110 шт
 
 ± — — — — —
P= STS4DNF60L (VBSEMI)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= WMS08DN06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= IRF7341TRPBF (VBSEMI)
 

IRF7341TRPBF (INFIN) 		— 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE60ND08S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMTP110N06D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF7341TR (YOUTAI)
 

IRF7341TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- JMTP330N06D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- CS5N06AE-1 (CRMICRO)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CRMM4900D (CRMICRO)
 
SOP8L
 
 — — —
P- NCE60ND03S (NCE)
 
DFN-8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- IRF7351 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт — — — — —
P- NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
P- CJQ12SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
A+ AO4826 (YOUTAI)
 
— в ленте 50 шт
 
 — —
A+ AO4828 (YOUTAI)
 
— 1 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS05N06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 60V 5.0A ＜44mohm ＜49mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ●High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Maximum Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 5.0 TA=25℃ @ Steady State Drain Current ID A 4.0 TA=70℃ @ Steady State Pulsed Drain Current A IDM 25 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 3.1 W RθJA 40.3 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS05N06A F2 Q05N06 4000 8000 64000 13“ reel 1/7 S-E627 Rev.3.0,14-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS05N06AF2 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 24.09.2020

Размер: 670.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)