Компоненты первой необходимости – диоды SUNCO в новом компактном корпусе SMBF
1 июня 2023
Диод является простейшим полупроводниковым компонентом, из-за чего может показаться, что в мире сложных интегральных схем и приборов ему не место. Однако это далеко не так: без диодов сейчас редко обходятся даже дискретные электронные схемы:
- выпрямители;
- зарядные устройства;
- преобразователи и стабилизаторы напряжения;
- инверторы;
- защитные схемы.
Ключевой задачей в современной электронике является уменьшение габаритов конечных изделий при одновременном увеличении их мощности. В тренде – низкопрофильные компоненты, позволяющие, помимо прочего, достаточно эффективно рассеивать излишнее тепло за счет относительно большой площади поверхности.
Компания SUNCO предлагает ассортимент дискретных полупроводниковых диодов GPP, DB, SDB, FRED и TVS в новом корпусе SMBF.
SMBF-корпуса являются прекрасным примером эффективного низкопрофильного решения по оптимизации размеров и теплоотвода. Они тонкие, компактные (рисунок 1) и с высокой эффективностью рассеивают тепло благодаря более коротким, по сравнению с SMB-корпусом, путям отвода тепла по металлическому контакту (рисунок 2).
Рис. 1. Сравнительные размеры корпусов SMBF (а) и SMB (б)
Рис. 2. Путь отвода тепла в корпусах SMBF (а) и SMB (б)
Диоды SUNCOYJ в корпусе SMBF, доступные со склада КОМПЭЛ, представлены в таблицах 1, 2 и 3. Рабочий диапазон температур составляет 55…150°C.
Таблица 1. Серии GPP-диодов производства компании SUNCO
| Наименование | Максимальное обратное напряжение VRM, В | Средний прямой ток Io, A | Максимальный прямой ток IFSM, A |
Максимальное прямое напряжение при токе Io | Максимальный обратный ток | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Io, A | VF, В | IR, мкА (25°C) |
IR, мкА (125°C) | ||||
| Серия STD | |||||||
| GS2ABF | 50…1000 | 2 | 50 | 2 | 1,1 | 5 | 100 |
| GS3ABF | 50…1000 | 3 | 100 | 3 | 1,1 | 5 | 100 |
| Серия FR | |||||||
| GR2ABF | 50…1000 | 2 | 50 | 2 | 1,3 | 5 | 100 |
| GR3ABF | 50…1000 | 3 | 100 | 3 | 1,3 | 5 | 100 |
| GR4MBF | 1000 | 4 | 120 | 4 | 1,3 | 5 | 100 |
| Серия HER | |||||||
| HS2ABF | 50…200 | 2 | 50 | 2 | 1 | 5 | 100 |
| HS2GBF | 400 | 2 | 50 | 2 | 1,3 | 5 | 100 |
| HS2JBF | 600…1000 | 2 | 50 | 2 | 1,7 | 5 | 100 |
| HS3ABF | 50…200 | 3 | 100 | 3 | 1 | 5 | 100 |
| HS3GBF | 400 | 3 | 100 | 3 | 1,3 | 5 | 100 |
| HS3JBF | 600 | 3 | 100 | 3 | 1,7 | 5 | 100 |
| Серии SF, MUR, UG | |||||||
| ES2ABF | 50…200 | 2 | 50 | 2 | 0,95 | 5 | 100 |
| ES2FBF | 300…400 | 2 | 50 | 2 | 1,3 | 5 | 100 |
| ES2HBF | 500…600 | 2 | 50 | 2 | 1,7 | 5 | 100 |
| ES2KBF | 800 | 2 | 50 | 2 | 1,85 | 5 | 100 |
| ES3ABF | 50…200 | 3 | 100 | 3 | 0,95 | 5 | 100 |
| ES3FBF | 300…400 | 3 | 100 | 3 | 1,3 | 5 | 100 |
| ES3HBF | 500…600 | 3 | 100 | 3 | 1,7 | 5 | 100 |
| ES3KBF | 800 | 3 | 100 | 3 | 1,85 | 5 | 100 |
| MURS220BF | 200 | 2 | 50 | 2 | 0,92 | 5 | 50 |
| MURS240BF | 400…600 | 2 | 50 | 2 | 1,25 | 5 | 50 |
| MURS320BF | 200 | 3 | 100 | 3 | 0,92 | 5 | 50 |
| MURS340BF | 400…600 | 3 | 100 | 3 | 1,25 | 5 | 50 |
| MURS460BF | 600 | 4 | 100 | 4 | 1,25 | 5 | 50 |
| UG2ABF | 50…200 | 2 | 50 | 2 | 0,92 | 5 | 50 |
| UG2FBF | 300…400 | 2 | 50 | 2 | 1,25 | 5 | 50 |
| UG2HBF | 500…600 | 2 | 50 | 2 | 1,7 | 5 | 50 |
| UG3ABF | 50…200 | 3 | 90 | 3 | 0,92 | 5 | 50 |
| UG3FBF | 300…400 | 3 | 90 | 3 | 1,25 | 5 | 50 |
| UG3HBF | 50…200 | 3 | 90 | 3 | 0,92 | 5 | 50 |
Таблица 2. Диоды Шоттки серии VF
| Тип | Максимальное обратное напряжение VRM, В | Средний прямой ток Io, A | Максимальный прямой ток IFSM, A |
Максимальное прямое напряжение при токе Io | Максимальный обратный ток | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Io, A | VF, В | IR, мкА (25°C) |
IR, мкА (125°C) |
||||
| SSL545BF | 45 | 5 | 120 | 5 | 0,45 | 0,5 | 50 |
| SSL56BF | 60 | 5 | 120 | 5 | 0,5 | 0,5 | 50 |
Таблица 3. TVS-диоды SUNCO
| Серия | Полярность | Пиковая рассеиваемая мощность, импульс 10/1000мкс, Вт | Рабочее пиковое обратное напряжение, VRWM, В | Пиковый импульсный ток, импульс 10/1000мкс, IPP, А |
|---|---|---|---|---|
| SMBF | Uin | 600 | 5…200 | 1,69…65,22 |
| Bi | 600 | 5…200 | 1,69…65,22 |
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd (Yangjie) основан в Китае в 2000 году и за 2 десятилетия стал одним из ведущих национальных производителей дискретных полупроводников. Штаб-квартира находится в Янчжоу, провинция Цзянсу. YJ работает по IDM-модели (Integrated Device Manufacturer), объединяя полный цикл – от проектирования кристаллов до сборки и тестирования готовых изделий. Компания специализируется на решениях в области силовой электроники, соответствующих современным отраслевым тр ...читать далее
Наши информационные каналы