Новые MOSFET OptiMOS 5 с двухсторонним охлаждением 31 декабря 2020 Компания Infineon представила новую линейку MOSFET с двусторонним охлаждением, входящую в семейство OptiMOS 5. Новые транзисторы поставляются в корпусе SuperSO8 5×6 SC (super cooling), что позволяет улучшить отвод тепла и создавать приложения... телекоммуникацииавтомобильная электроникауправление двигателемпотребительская электроникаInfineonновостьдискретные полупроводники
Учет влияния паразитной индуктивности при разработке силового преобразователя 30 декабря 2020 Клаус Фогель, Адальберто Росса, Дэвид Леветт (Infineon) Применение скоростных микросхем IGBT в силовых преобразователях при более высоких уровнях тока возможно только в системах с низкой индуктивностью. Новые IGBT-чипы компании Infineon и рекоменд... управление двигателемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиIGBTSiC MOSFET
Преимущества SiC-технологии и их использование: MOSFET и драйверы затвора Infineon 23 декабря 2020 Джованбаттиста Маттиуси, Диого Варахао (Infineon) С целью поддержки своих карбид-кремниевых MOSFET из линейки CoolSiC, обеспечивающих наиболее высокую в отрасли производительность, компания Infineon предлагает шесть моделей специализированных ИС д... управление питаниемуправление двигателемInfineonстатьяинтегральные микросхемыSiCMOSFETIGBTAC-DCSiC MOSFET
Силовые ключи верхнего плеча Power PROFET для автомобилей 10 декабря 2020 В руководстве представлена информация, которая дополняет техническую спецификацию силовых ключей семейства Power PROFET производства Infineon. Рассмотрены назначение и принцип действия ряда функций, реализованных в этих ключах, а также функциониро... автомобильная электроникауправление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETсиловой ключинтеллектуальный ключ
Как снизить потери при включении силового ключа: простая схема управления скоростью нарастания 7 декабря 2020 Вольфганг Франк (Infineon) Снижение потерь на переключения в силовых электронных системах, например, в приводах, зачастую противоречит требованиям ЭМС и ограничивается таким параметром как скорость нарастания напряжения. Обычное компромиссное реше... управление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемы
Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 2 4 декабря 2020 Александр Русу (г. Одесса) Помимо стабильности основных технических характеристик карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC, компания Infineon довела до значений, соответствующих кремниевым аналогам, такие параметры, как устойчивость к времен... управление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиSiCMOSFETMotor DriveSiC MOSFET
2EDx – новое семейство двуканальных изолированных драйверов затвора линейки EiceDRIVER 20 ноября 2020 Компания Infineon выпустила новое семейство двухканальных изолированных драйверов для управления затвором MOSFET. Драйверы 2EDx входят в линейку продуктов EiceDRIVER и обладают высокими надежностью, быстродействием и степенью изоляции. Изоляционны... телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonновостьинтегральные микросхемыMOSFETIGBTAC-DCдрайвер MOSFET
Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 1 20 ноября 2020 Александр Русу (г. Одесса) За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид-кремниевых транзисторов ... телекоммуникациисветотехникауправление питаниемуправление двигателемInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCDC-DCMotor Drive
Преимущества новых высоковольтных SOI-драйверов Infineon 18 ноября 2020 Вячеслав Гавриков (г. Смоленск) При производстве драйверов силовых транзисторов компания Infineon использует различные технологии: JI, SOI, CT. Драйверы, выполненные с применением технологии SOI, имеют целый ряд преимуществ по сравнению с классиче... телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемInfineonстатьяинтегральные микросхемыAC-DCизоляцияККМMotor DriveAC/ВС
Карбид-кремниевые 650 В MOSFET от Wolfspeed – прямой путь повышения КПД 18 ноября 2020 Вера Ефремова (г. Екатеринбург) 650 В карбид-кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только перед об... телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиMOSFETIGBTDSPAC-DCESDККМLDODC-DCMotor Drive