BC817

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors %& 62 7     TRANSISTOR (NPN)  )($785(6 z z z z z 1. BASE 2. EMITTER For general AF applications High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BC807 (PNP) 3. COLLECTOR MARKING MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless oth...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 32

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC817-40 (YJ)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817G-40-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= LBC817-40LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC337-40 (DC)
 
TO-92-3 1000 шт
 
P= BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817 (SHIKUES)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-16 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-25 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-40Q (YJ)
 
SOT-23-3
 
P= BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-40 (JSCJ)
 

BC817 (JSCJ)
 
P= BC337 (JSCJ)
 

BC337 (ONS-FAIR)
TO-92-3 2000 шт
 
P= BC817-16 (JSCJ)
 
 
P= BC817-25 (JSCJ)
 
 
P= BC817-25Q (YJ)
 
127 шт
 
P= BCX19 (JSCJ)
 

BCX19 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BCP56-16 (JSCJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
A+ BCP56-16 (YJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
 
A+ BCX54-16 (YJ)
 
SOT-89 в ленте 1000 шт
 
A+ BCX55-16 (YJ)
 
SOT-89 в ленте 3000 шт
 
A+ BCX56-16 (YJ)
 
SOT-89 в ленте 1000 шт
 
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817W (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA06 (JSCJ)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BCX56-16 (JSCJ)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ BC817-40W (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors %& 62 7     TRANSISTOR (NPN)  )($785(6 z z z z z 1. BASE 2. EMITTER For general AF applications High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BC807 (PNP) 3. COLLECTOR MARKING MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 500 mA PC Collector Power Dissipation 300 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 417 ℃/W -55~+150 ℃ RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range 6. A 6. B 6. C 6A / 6B / 6C=Device code Solid dot = Green molding compound device  (/(&75,&$/&+$5$&7(5,67,&6 7a ℃XQOHVVRWKHUZLVHVSHFLILHG   6\PERO           3DUDPHWHU   7HVW FRQGLWLRQV  0in Typ  0ax Unit &ROOHFWRUEDVHEUHDNGRZQYROWDJH VCBO IC= 10μA, IE=0 50 V &ROOHFWRUHPLWWHUEUHDNGRZQYROWDJH VCEO IC= 10mA, IB=0 45 V (PLWWHUEDVHEUHDNGRZQYROWDJH VEBO IE= 1μA, IC=0 5 V &ROOHFWRUFXWRIIFXUUHQW ICBO VCB= 45 V , IE=0 0.1 μA (PLWWHUFXWRIIFXUUHQW IEBO VEB= 4V, IC=0 0.1 μA hFE(1) VCE= 1V, IC= 100mA 100 hFE(2) VCE= 1V, IC= 500mA 40 '&FXUUHQWJDLQ                        600 &ROOHFWRUHPLWWHUVDWXUDWLRQYROWDJH VCE(sat) IC= 500mA, IB= 50mA 0.7 V %DVHHPLWWHUVDWXUDWLRQYROWDJH VBE(sat) IC= 500mA, IB= 50mA 1.2 V 1.2 V %DVHHPLWWHUYROWDJH VBE VCE= 1 V, IC= 500mA &ROOHFWHUFDSDFWLDQFH Cob VCB=10V ,f=1MHz 7UDQVLWLRQIUHTXHQF\ fT VCE= 5 V, IC= 10mA f=100MHz 10 pF 100 MHz  &/$66,),&$7,212) hFE    5DQN %& %& %& 5DQJH     0DUNLQJ $ % & www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на BC817 

BC817 SOT-23 V2.1

Дата модификации: 22.02.2022

Размер: 1.46 Мб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    30 января
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.