ASZM040120P

ASZM040120P N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID@25℃ 1200V 48mΩ@18V 68A Feature Application  Wide bandgap SiC MOSFET technology  Switch mode power supplies  Low On-Resistance with High Blocking Voltage  Renewable energy  Low Capacitances with High-Speed switching  Motor drives  Low reverse recovery(Qrr)  High voltage DC/DC...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2473
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJD212040NCTG1 (YJ)
 
TO2473 в линейках 1000 шт
 
P= ATSCM33G120W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ YJD212040NCFG2 (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ ASZM040120T (ANBON)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ ASZM028120P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ ASXM028120P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ YJD212025NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
08 июля
новость

На склад КОМПЭЛ поступили SiC-MOSFET производства ATS и Anbon

Карбид кремния как материал, обладающий полупроводниковыми свойствами, известен более века, но его массовое применение в полупроводниковых приборах началось относительно недавно благодаря усовершенствованию и удешевлению технологии производства.... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.