YJD212040NCFG2

SUNCOYJ
RoHS YJD212040NCFG2 COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 1200V ID（25°C） 66A RDS(on) 33mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltage ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoHS...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2474
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= ATSCM33G120W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD212040NCFG2 COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 1200V ID（25°C） 66A RDS(on) 33mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltage ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoHS compliant Typical Applications Typical applications are in power factor correction(PFC), solar inverter, uninterruptible power supply, motor drives, photovoltaic inverter, electric car and charger. Mechanical Data ● Package: TO247-4L ● Terminals: Tin plated leads ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (TC=25℃ Unless otherwise specified） PARAMTETER SYMBOL UNIT VALUE Device marking code TEST CONDITIONS NOTE D212040NCFG2 Drain source voltage @ Tj=25°C VDS,max V 1200 VGS=0 V, ID=100uA Gate source voltage @ Tj=25°C VGS,max V -8/+19 Absolute maximum values Gate source voltage @ Tj=25°C VGS,op V -4/+15 Recommended operational values 66 VGS=15V, Tc=25℃ ID A 48 VGS=15V, Tc=100℃ 120 Pulse width tp limited by Tj,max 333 Tc=25°C , Tj = 175℃ 144 Tc=110°C, Tj = 175℃ Continuous drain current @ Tc=25°C Fig.18 Continuous drain current @ Tc=100°C Pulsed drain current ID(pulsed) A PTOT W Power Dissipation Power Dissipation Operating junction and Storage temperature range Note1、2 Tj ,Tstg °C -55 to +175 Soldering temperature TL °C 260 1.6mm (0.063’’) from case for 10s Mounting torque TM Nm 0.6 M3 screw Maximum of mounting process: 3 Fig.23 Fig.17 1/9 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD212040NCFG2 

MUR1060规格书

Дата модификации: 30.03.2023

Размер: 2.45 Мб

9 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    29 июня 2023
    новость

    Новый высоковольтный SiC MOSFET YJD212040NCхG1 от SUNCOYJ для высокочастотных применений большой мощности

    С 2021 года рынок инверторов для солнечных панелей начал стремительно развиваться, что вызвало спрос на силовые компоненты SiC, применяемые в качестве ключевых элементов преобразователей энергии. Благодаря высокочастотным характеристикам... ...читать

    20 апреля 2023
    новость

    1200 В карбид-кремниевые MOSFET от SUNCOYJ – высокая стабильность параметров и скорость переключения

    В условиях интенсивного роста рынка инверторов и других преобразователей энергии наблюдается устойчивый спрос на карбид–кремниевые полевые транзисторы (SIC MOSFET). Они становятся особенно популярны благодаря тому, что при совместном... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)