SS34-C

Диод выпрямительный на напряжение до 40 В, ток до 3 А, с падением напряжения 550 мВ, производства Anbon (ANBON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 47

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SS34 (YJ)
 

SS34 (ONS-FAIR)
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SM340C (LRC)
 
DO-214AB SMC Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SK24 (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SK34 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS34BQ (YJ)
 
DO214AA
 
P= SS34CG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= SS24 (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS32 (YJ)
 

SS32 (ONS-FAIR)
DO214AB 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS34B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon
P= SS520B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS34BF (YJ)
 
в ленте 15000 шт
 
P= SM240B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS24-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SL24-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SS24BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SS24T3G (JSMICRO)
 
 
P= SS34F (JSCJ)
 
DO221AC в ленте 3000 шт
 
P= SK34 SMCG (JSCJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
P= SS32CG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= SM340AF (LRC)
 
SMAFL
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon
P= SL34-F (ANBON)
 
SMAF
 
P= SK24 (DC)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
P= SS34-BF (ANBON)
 
 
P= SS22 (YJ)
 

SS22 (ONS-FAIR)
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS23 (YJ)
 

SS23 (ONS-FAIR)
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SSL24 (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS24 (YOUTAI)
 
DO-214AC SMA 1 шт
 
P= SM230B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS34BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SK34 (DC)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
P= SS34A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SM340A (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SM340B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS34-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SM340BF (LRC)
 
 
P= SM3100B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SM240BF (LRC)
 
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon
P= SS310BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SS34BF (SHIKUES)
 
DO221AA
 
P= SS23Q (YJ)
 
 
P= SS24 T/R (DC)
 
DO-214AC SMA в ленте 5000 шт
P= SS24G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SS24 (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= SS24Q (YJ)
 
 
P= SK320 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS320 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SL310-B (ANBON)
 
DO214AA

Файлы 1

показать свернуть
SS32-C THRU SS320-C 3.0 A Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers - 20V-200V Package outline Features The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 For surface mounted applications Metal silicon junction,majority carrier conduction Low power loss,high efficiency Built-in strain relief,ideal for automated placement High forward surge current capability High temperature soldering guaranteed: 250 C/10 seconds at terminals Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU SMC/DO-214AB 0.245(6.22) 0.220(5.59) 0.126 (3.20) 0.114 (2.90) 0.280(7.11) 0.260(6.60) 0.012(0.305) 0.006(0.152) Mechanical data 0.103(2.62) 0.079(2.06) Case: JEDEC DO-214AB molded plastic body Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting Position: Any 0.060(1.52) 0.030(0.76) 0.008(0.203)MAX. 0.320(8.13) 0.305(7.75) Dimensions in inches and (millimeters) Maximum ratings and Electrical Characteristics (AT PARAMETER T A=25 oC unless otherwise noted) CONDITIONS Symbol MIN. TYP. MAX. UNIT Forward rectified current See Fig.2 IO 3.0 A Forward surge current 8.3ms single half sine-wave (JEDEC methode) I FSM 80 A V R = V RRM T A = 25 OC Reverse current V R = V RRM T A = 100 OC 0.5 IR 10 Thermal resistance Junction to ambient NOTE 1 R θJA 55 Diode junction capacitance f=1MHz and applied 4V DC reverse voltage CJ 500 Storage temperature T STG O C/W pF +150 -65 mA O C Note: 1.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas *1 V RRM (V) V RMS*2 (V) *3 VR (V) SS32-C 20 14 20 SS33-C 30 21 30 SYMBOLS SS34-C 40 28 40 SS35-C 50 35 50 SS36-C 60 42 60 SS38-C 80 56 80 SS310-C 100 70 100 SS315-C 150 105 150 SS320-C 200 140 200 http://www.anbonsemi.com TEL:+86-755-23776891 FAX:+86-755-81482812 *4 VF (V) Operating temperature T J, ( OC) *1 Repetitive peak reverse voltage *2 RMS voltage 0.55 *3 Continuous reverse voltage 0.70 *4 Maximum forward voltage@I F=3.0A -55 to +150 0.85 0.92 Page 1 Document ID Issued Date Revised Date AS-3060017 2003/03/08 2022/05/16 Revision F Page. PDF
Документация на SS32-C 

SS32-C THRU SS320-C SMC

Дата модификации: 18.04.2018

Размер: 1.44 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.