SS34

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 40 В, ток до 3 А, с падением напряжения 500 мВ, ёмкостью перехода 165 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 50

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SS32 (YJ)
 

SS32 (ONS-FAIR)
DO214AB 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS24 (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SM340C (LRC)
 
DO-214AB SMC Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS24G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SS23Q (YJ)
 
 
P= SL310-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SS24 T/R (DC)
 
DO-214AC SMA в ленте 5000 шт
P= SS24 (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= SS24Q (YJ)
 
 
P= SM3100B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS520B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS310BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SM340BF (LRC)
 
 
P= SK34 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS34-C (ANBON)
 
DO214AB
P= SS34BQ (YJ)
 
DO214AA
 
P= SS34BF (YJ)
 
в ленте 15000 шт
 
P= SM240B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS34-BF (ANBON)
 
 
P= SM340B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS24-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SK24 (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS24 (YOUTAI)
 
DO-214AC SMA 1 шт
 
P= SS32CG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= SS34CG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= SK34 SMCG (JSCJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
P= SS34BF (SHIKUES)
 
DO221AA
 
P= SM240BF (LRC)
 
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon
P= SS24BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SL24-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SS24T3G (JSMICRO)
 
 
P= SS34A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SM340AF (LRC)
 
SMAFL
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon
P= SL34-F (ANBON)
 
SMAF
 
P= SM340A (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SSL24 (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS22 (YJ)
 

SS22 (ONS-FAIR)
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS23 (YJ)
 

SS23 (ONS-FAIR)
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SM230B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS34BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SK24 (DC)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
P= SS34-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SK320 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS320 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
F~ SS34B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon
F~ SS34F (JSCJ)
 
DO221AC в ленте 3000 шт
 
F~ SK34 (DC)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
A- SSL34 (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
A- SS34Q (YJ)
 
DO214AB
 
A- SSL54 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SS32 THRU SS320 COMPLIANT Surface Mount Schottky Rectifier Features ● Guardring for overvoltage protection ● Low power losses ● Extremely fast switching ● High forward surge capability ● High frequency operation ● Solder dip 260 °C max. 10s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DOMolding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code SS32 SS34 SS36 SS310 SS315 SS320 SS32 SS34 SS36 SS310 SS315 SS320 20 40 60 100 150 200 VRRM V IO A 3.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 70 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) -55~+125 -55 ~+150 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR mA Typical junction capacitance Cj pF TEST CONDITIONS IFM =3.0A SS32 SS34 0.50 SS36 SS310 0.70 0.85 SS315 0.90 Ta=25℃ 0.2 0.1 Ta=100℃ 20 5.0 Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 180 150 130 SS320 80 1/4 S-S136 Rev. 2.3, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SS310 

T10XB型(SIP)硅橋式整流器

Дата модификации: 29.08.2018

Размер: 873.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.