SS34B

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 40 В, ток до 3 А, с падением напряжения 500 мВ, ёмкостью перехода 170 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 51

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SS24-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SS320 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SK320 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS24 (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS32 (YJ)
 

SS32 (ONS-FAIR)
DO214AB 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS520B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SM3100B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS24Q (YJ)
 
 
P= SS24 (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= SS24G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SS24 T/R (DC)
 
DO-214AC SMA в ленте 5000 шт
P= SL310-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SK24 (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS24T3G (JSMICRO)
 
 
P= SS34BQ (YJ)
 
DO214AA
 
P= SS34BF (YJ)
 
в ленте 15000 шт
 
P= SM240B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SL24-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SS23Q (YJ)
 
 
P= SS24BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SS34BF (SHIKUES)
 
DO221AA
 
P= SS310BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SM240BF (LRC)
 
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon
P= SM340C (LRC)
 
DO-214AB SMC Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS32CG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= SS34-C (ANBON)
 
DO214AB
P= SS34CG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= SM340AF (LRC)
 
SMAFL
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon
P= SK24 (DC)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
P= SL34-F (ANBON)
 
SMAF
 
P= SS22 (YJ)
 

SS22 (ONS-FAIR)
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS23 (YJ)
 

SS23 (ONS-FAIR)
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SSL24 (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS24 (YOUTAI)
 
DO-214AC SMA 1 шт
 
P= SM230B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SK34 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SM340BF (LRC)
 
 
P= SK34 SMCG (JSCJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
P= SS34BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SS34A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SM340A (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SS34-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SM340B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS34-BF (ANBON)
 
 
F~ SS34F (JSCJ)
 
DO221AC в ленте 3000 шт
 
F~ SS34 (YJ)
 

SS34 (ONS-FAIR)
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB
F~ SK34 (DC)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
A- SSL34B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
A- SSL345B (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
A- SSL545B (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
A- SSL54B (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SS32B THRU SS320B COMPLIANT Surface Mount Schottky Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Guardring for overvoltage protection ● Low power losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) SYMBOL UNIT SS32B SS33B SS34B SS35B SS36B SS38B SS310B SS315B SS320B PARAMETER SS32B SS33B SS34B SS35B SS36B SS38B SS310B SS315B SS320B Device marking code VRRM V IO A 3.0 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 70 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, Ta (FIG.1) 20 30 40 50 60 -55~+125 80 100 150 200 -55 ~+150 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM IRRM mA TEST SS32B SS33B SS34B SS35B SS36B SS38B SS310B SS315B SS320B CONDITIONS IFM=3.0A 0.50 0.70 0.85 0.90 Ta=25℃ 0.50 0.10 Ta=100℃ 10 5 1/4 S-S134 Rev. 2.3,28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SS310B 

T10XB型(SIP)硅橋式整流器

Дата модификации: 22.08.2018

Размер: 437.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.