SS24BG

Диод выпрямительный на напряжение до 40 В, ток до 2 А, с падением напряжения 550 мВ, производства Shikues (SHIKUES)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 47

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SS32 (YJ)
 

SS32 (ONS-FAIR)
DO214AB 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS24 (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS34B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon
P= SS520B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SSL24 (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SK24 (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SK34 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS34BQ (YJ)
 
DO214AA
 
P= SS34BF (YJ)
 
в ленте 15000 шт
 
P= SM240B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SL24-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SS24T3G (JSMICRO)
 
 
P= SL34-F (ANBON)
 
SMAF
 
P= SS34 (YJ)
 

SS34 (ONS-FAIR)
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS34F (JSCJ)
 
DO221AC в ленте 3000 шт
 
P= SS24-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SK34 SMCG (JSCJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
P= SS32CG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= SM340C (LRC)
 
DO-214AB SMC Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS34-C (ANBON)
 
DO214AB
P= SS34CG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= SM340AF (LRC)
 
SMAFL
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon
P= SK24 (DC)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
P= SS34-BF (ANBON)
 
 
P= SS22 (YJ)
 

SS22 (ONS-FAIR)
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS23 (YJ)
 

SS23 (ONS-FAIR)
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS24 (YOUTAI)
 
DO-214AC SMA 1 шт
 
P= SM230B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS34BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SK34 (DC)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
P= SS34A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SM340A (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SM340B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS34-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SM340BF (LRC)
 
 
P= SM3100B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SM240BF (LRC)
 
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon
P= SS310BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SS34BF (SHIKUES)
 
DO221AA
 
P= SS23Q (YJ)
 
 
P= SS24 T/R (DC)
 
DO-214AC SMA в ленте 5000 шт
P= SS24G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SS24 (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= SS24Q (YJ)
 
 
P= SK320 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS320 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SL310-B (ANBON)
 
DO214AA

Файлы 1

показать свернуть
SS210LBG Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Reverse Voltage - 100 V Forward Current - 2.0A PINNING PIN Features • Metal silicon junction, majority carrier conduction • For surface mounted applications • Low power loss, high efficiency • High forward surge current capability • For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications DESCRIPTION 1 Cathode 2 Anode 2 1 Top View Marking Code: SL210B Simplified outline SMB and symbol MECHANICAL DATA • Case: SMB • Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 • A pprox. Weight: 0.055g / 0.002oz Absolute Maximum Ratings and Electrical characteristics Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.Single phase, half wave, 60Hz resistive or inductive load, for capacitive load, derate by 20 % SS 210LBG Symbols Parameter Units Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 100 V Maximum RMS voltage V RMS 70 V Maximum DC Blocking Voltage V DC 100 V Maximum Average Forward Rectified Current I F(AV) 2.0 A Peak Forward Surge Current,8.3ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method) I FSM 50 A VF 0.6 V IR 1.0 50 mA Cj 600 pF RθJA 45 °C/W Tj -55 ~ +150 °C T stg -55 ~ +150 °C Max Instantaneous Forward Voltage at 2 A Maximum DC Reverse Current T a = 25°C at Rated DC Reverse Voltage T a =100°C Typical Junction Capacitance (1) Typical Thermal Resistance (2) Operating Junction Temperature Range Storage Temperature Range (1)Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C (2)P.C.B. mounted with 2.0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper pad areas. REV.08 1 of 3 PDF
Документация на SS210LBG 

SMB-S-SSL210B-2A100V-40MIL.cdr

Дата модификации: 01.01.1970

Размер: 362.5 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.