SS14

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 40 В, ток до 1 А, с падением напряжения 550 мВ, ёмкостью перехода 110 пФ, производства UMW (YOUTAI)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AC SMA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 55

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SSL14A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= SS14A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SS22A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SS14 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= SS14 (JSCJ)
 

SS14 (ONS-FAIR)
DO-214AC SMA 40 шт
 
P= SM240AF (LRC)
 
SMAFL
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon
P= SS14-A (ANBON)
 
DO214AC
P= SM140A (LRC)
 
DO-214AC SMA в ленте 1100 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SS14G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SS24AQ (YJ)
 
DO214AC Surface Mount Schottky Rectifier
P= SS24G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SM120A (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= SS12G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SM130A (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= SM230A (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= SL24-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= SS23A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SS24 (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= SL24F (YJ)
 
DO221AC 3000 шт
 
P= SS24A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SSL210A-F1-0000HF (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= SM240A (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SS24 (YOUTAI)
 
DO-214AC SMA 1 шт
 
P= SS14 (YJ)
 

SS14 (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM)
P= SK34 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= B340AG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SS210G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SM2100A (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= SS210 (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= SS34 (YJ)
 

SS34 (ONS-FAIR)
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS24 (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS32 (YJ)
 

SS32 (ONS-FAIR)
DO214AB 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS34B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon
P= SS520B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS34BQ (YJ)
 
DO214AA
 
P= SL210-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= SS34BF (YJ)
 
в ленте 15000 шт
 
P= SM240B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SL24-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SK24 (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS24T3G (JSMICRO)
 
 
P= SS24BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SM340C (LRC)
 
DO-214AB SMC Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SK34 SMCG (JSCJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
P= SS34CG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= SK34 (DC)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
P= SS24-A (ANBON)
 
DO214AC
P= SM340B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS34BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SS34F (JSCJ)
 
DO221AC в ленте 3000 шт
 
P= SS34-BF (ANBON)
 
 
P= SS34BF (SHIKUES)
 
DO221AA
 
P= SS34-C (ANBON)
 
DO214AB
P= SM340BF (LRC)
 
 
A- SS24 T/R (DC)
 
DO-214AC SMA в ленте 5000 шт

Файлы 1

показать свернуть
UMW R UMW SS12 THRU SS120 20V-200V 1A FEATURES Schottky barrier rectifier Guardring protection Low forward voltage Reverse energy tested High current capability Extremely low thermal resistance Mechanical Data Case: SMA molded plastic body 1111 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting position: ANY Weight: 0.002 ounces, 0.064 gram MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%. SYMBOLS SS12 SS13 SS14 SS15 SS16 Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current at TL(see fig.1) Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A Maximum DC reverse current TA=25 C TA=100 C at rated DC blocking voltage Typical junction capacitance (NOTE 1) Typical thermal resistance (NOTE 2) Operating junction temperature range Storage temperature range VRRM VRMS VDC 20 14 20 30 21 30 40 28 40 50 35 50 60 42 60 SS18 SS110 SS115 80 56 80 100 70 100 150 105 150 SS120 UNITS 200 140 200 VOLTS VOLTS VOLTS I(AV) 1.0 Amp IFSM 30.0 Amps VF 0.70 0.55 0.45 0.5 10.0 IR 88.0 -50 to +125 -50 to +150 -50 to +150 0.95 0.2 2.0 5.0 90 110 CJ RθJA TJ, TSTG 0.85 Volts mA pF C/W C C Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C. 2.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas www.umw-ic.com 1 友台半导体有限公司 PDF
Документация на серию SS1 

UMW SS12 THRU SS120(SMA)

Дата модификации: 14.04.2022

Размер: 561.5 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.