BL18N20

BL18N20 Power MOSFET 1.Description Step-Down Converter BL18N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V DS 200 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO18N20T2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ IRFP250NPBF (JSMICRO)
 

IRFP250NPBF (INFIN)
в линейках 30 шт
 
A+ NCE0224 (NCE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ TSM600NA25CIT C0G (TSC)
 
ITO220 50 шт
 
A+ WML340N20HG2 (WAYON)
 
 
A+ CS18N20A8R (CRMICRO)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
A+ CS18N20A4R-G (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ IRF640N (EVVO)
 

IRF640N (INFIN)
TO-220-3 в линейках 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.