CRJQ69N60G2

CR Micro
CRJQ69N60G2 SJMOS N-MOSFET 600V, 63mΩ, 40A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • CRM(CQ) Super_Junction technology VDS,min 600V • Much lower Ron*A performance for On-state efficiency RDS(on),typ 63mΩ • Better efficiency due to very low FOM ID 40A • Qualified for industrial grade applications according to JEDEC Applications 100% DVDS Tested • LED/LCD/PDP TV and monito...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE65NF068T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 — — —
P- NCE65NF036T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 100 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMH65R040ASFD (JIEJIE)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WMJ53N65C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
P- WMJ80N60C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
P- WMJ53N60C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
P- WMJ20N50D1 (WAYON)
 
— в линейках 30 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ TSM60NE048PW C0G (TSC)
 
TO-247-3 25 шт — — —
A+ TSM60NB041PW C1G (TSC)
 
TO-247-3 25 шт
 
 — —
A+ TSM60NE069PW C0G (TSC)
 
TO-247-3 25 шт — — —
A+ YJD206550NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ YJD206550NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ ATSCM45G65W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ ATSCM30G65W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRJQ69N60G2 SJMOS N-MOSFET 600V, 63mΩ, 40A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • CRM(CQ) Super_Junction technology VDS,min 600V • Much lower Ron*A performance for On-state efficiency RDS(on),typ 63mΩ • Better efficiency due to very low FOM ID 40A • Qualified for industrial grade applications according to JEDEC Applications 100% DVDS Tested • LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting 100% Avalanche Tested • Solar/Renewable/UPS-Micro Inverter System • Charger • Power Supply Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package Packing Reel Size Tape Width Qty CRJQ69N60G2 CRJQ69N60G2 TO-247-3L Tube N/A N/A 25pcs Symbol Value Unit VDS 600 V ID 40 A Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current 1) TC = 25°C TC = 100°C 25 2) ID,pulse 160 A EAS 520 mJ dv/dt 50 V/ns Gate-Source voltage VGS ±30 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 277 W IS 40 A (TC = 25°C) IS,pulse 160 A 3) dv/dt 50 V/ns Tj , Tstg -55...+150 °C Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tj,max) Avalanche energy, single pulse (L=30mH) MOSFET dv/dt ruggedness Continuous diode forward current(TC = 25°C) Diode pulse current 2) Recovery diode dv/dt Operating junction and storage temperature 1) Limited by Tj,max. Maximum Duty Cycle D = 0.50 2) Pulse width tp limited by Tj,max 3) Identical low side and high side switch with identical Rg Rev2.1 ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRJQ69N60G2 

CRJQ69N60G2 Datasheet V1.1B.xlsx

Дата модификации: 16.08.2023

Размер: 1.21 Мб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)