WMJ53N65C4

WAYON
WML53N N65C4, WM MK53N65C C4 WMN53N65C4, WMM53N N65C4, WM MJ53N65C C4 650V 0.06Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM C4 is Wa ayon’s 4th generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS G D S G S D G C4 is TO-22 20F suitable fo or applicatti...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMJ53N60C4 (WAYON)
 
TO-247-3 330 шт — — — — —
P= WMJ36N65C4 (WAYON)
 
TO-247-3 — — — — —
P= WMJ53N60F2 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ WMM53N65C4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
A+ NCE65NF068T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
 — — —
A+ WMJ80N65C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ WMJ90N65SR (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт — — — — —
A+ WMJ80N65F2 (WAYON)
 
TO-247-3 — — — — —
A+ WMJ90N65C4 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт — — — — —
A+ WMJ90N65F2 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 100 шт — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WML53N N65C4, WM MK53N65C C4 WMN53N65C4, WMM53N N65C4, WM MJ53N65C C4 650V 0.06Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM C4 is Wa ayon’s 4th generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS G D S G S D G C4 is TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-262 D S TO-220 T D power density and outstanding efficiency. Features S G G TO-26 63  VDS =7 700V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.06 6Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S D TO O-247 R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit VDSSS 650 V ID 50 A 26 A IDM M 90 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 940 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 1.3 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 5 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current1) Diode pulse e current 2) 350 34 W 2.8 0.27 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 50 A IS,puulse 90 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.36 3.6 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 2019 Doc.W08 865062 1 / 12 PDF
Документация на WMJ53N65C4 

Microsoft Word - WMx53N65C4 W0865062 V2.0

Дата модификации: 24.03.2022

Размер: 670.1 Кб

12 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    27 февраля 2023
    новость

    MOSFET азиатских производителей

    Полевой транзистор или MOSFET – неотъемлемый компонент в любом электронном устройстве. Существует огромное количество полевых транзисторов в различных конфигурациях, предназначенных для самых разнообразных задач. При этом с известной степенью... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)