Новые полевые транзисторы и сборки производства CR MICRO поступили на склад КОМПЭЛ

18 марта

Ассортимент продукции, представленной на нашем складе, недавно пополнили транзисторы и сборки MOSFET производства китайской компании China Resources Microelectronics Limited (CR MICRO). Она была основана в 2002 году и является частью огромного холдинга China Resources. На протяжении всей своей истории CR MICRO расширялся, неоднократно приобретая известные компании, выпускающие электронные компоненты. С 2018 г. CR MICRO входит в десятку крупнейших китайских производителей полупроводниковых приборов. Важное место в ассортименте продукции занимают силовые электронные компоненты, в том числе транзисторы и сборки MOSFET.

Со склада КОМПЭЛ доступны силовые полупроводниковые приборы CR MICRO, изготовленные по самым современным технологиям, используемым в зависимости от конкретного типа электронного компонента.

Среди них:

• Trench MOSFET – технология, позволяющая разместить большое количество параллельно соединенных единичных ячеек транзисторов на чипе. Благодаря этому его площадь занимает очень мало места при сохранении электрических параметров или же достигается очень высокое значение тока благодаря размещению огромного количества ячеек с шагом до 5 мкм на одном чипе. Транзисторы оптимизированы для коммутации токов больших значений при относительно малых напряжениях. Технология обеспечивает наилучшее соотношение «цена-характеристики».
• VD MOSFET – проверенная временем технология изготовления планарных транзисторов, позволяющая получить очень высокое напряжение «сток-исток» (300…1500 В), а также выдающуюся устойчивость к лавинному пробою.
• Super Junction MOSFET – усовершенствованная технология производства VD MOSFET, при которой за счет применения многослойной эпитаксии удается сформировать столбы P-слоя, равномерно распределяющие напряженность электрического поля по всей глубине чипа. Благодаря этому появляется возможность использовать N-слой с более низким сопротивлением при сохранении значения напряжения пробоя и достигается более высокий ток стока при уменьшенном размере чипа (по сравнению с VD MOSFET), а следовательно и улучшенные динамические характеристики.

С полным списком доступных MOSFET-транзисторов и сборок производства СR MICRO можно ознакомиться по ссылке.

Категории продукции, поступившей на склад

Одиночные транзисторы CR4437 и CRTE080P03L2P в корпусе SO-8. Миниатюрный корпус для планарного монтажа с 8 выводами обычно используется для изделий микроэлектроники (рисунок 1). Он удобен тем, что позволяет осуществлять монтаж на плату в едином технологическом цикле с микросхемами. Это недорогое решение применяется в бытовой электронике, такой как весы, мультиметры, пылесосы, телевизоры. Данные транзисторы могут управлять не очень мощной нагрузкой, например, светодиодной лентой.

Рис. 1. Транзисторы CR4437 и CRTE080P03L2P в корпусе SOP8

Сборки из двух комплементарных транзисторов CRMM4606, CRMM4614C и CRMM4978C в корпусах SOP8 и SOP8L. В одном корпусе такой сборки находятся два транзистора с разными типами каналов (N и P). Поскольку они изготовлены в едином технологическом процессе, их параметры идентичны, поэтому такую сборку нельзя полностью заменить двумя отдельными транзисторами. Помимо этого, благодаря удобному корпусу снижаются расходы на производство (рисунок 2). Данные сборки используются для управления моторами, а также применяются в профессиональном оборудовании для управления более мощными электронными приборами.

Рис. 2. Сборки из двух комплементарных транзисторов CRMM4606, CRMM4614C и CRMM4978C в корпусах SOP8 и SOP8L

Одиночный транзистор CRTJ650P03L2-G в миниатюрном корпусе SOT23 для планарного монтажа (рисунок 3). Этот относительно маломощный транзистор подходит для применения в бытовой аппаратуре, а также в профессиональном оборудовании для управления более мощными электронными приборами.

Рис. 3. Транзистор CRTJ650P03L2-G в корпусе SOT23

Одиночные транзисторы CRTD550P06N2-G и CRTD680P10LQ в корпусе ТО-252. Данный корпус малых размеров предназначен для планарного монтажа (рисунок 4). При этом он оснащен небольшим теплоотводом, который можно припаять к монтажной плате. Такие транзисторы являются оптимальным решением для переносных зарядных устройств, а также для блоков питания разнообразной аппаратуры как бытового, так и профессионального назначения.

Рис. 4. Транзисторы CRTD550P06N2-G и CRTD680P10LQ в корпусе ТО-252

Одиночные транзисторы CRSQ073N15N, CRSQ113N20N и CS82N25AKR-G в корпусе TO-247. Особенность корпуса данных транзисторов заключается в возможности его плотного соединения с массивным теплоотводом, для чего предусмотрены контактная площадка и отверстие для винта (рисунок 5). Такие транзисторы могут быть использованы в источниках бесперебойного питания (ИБП) для домашнего и офисного применения.

Рис. 5. Транзисторы CRSQ073N15N, CRSQ113N20N и CS82N25AKR-G в корпусе TO-247

Одиночные транзисторы CRTT240N20N, CRTT370P10L и CS18N20A8R в корпусе TO-220. В конструкции корпуса предусмотрены контактная площадка увеличенного размера и отверстие для винта (рисунок 6), благодаря чему его можно надежно соединить с мощным теплоотводом. Данные транзисторы используются в промышленных ИБП, сварочных аппаратах и зарядных станциях для электромобилей.

Рис. 6. Транзисторы CRTT240N20N, CRTT370P10L и CS18N20A8R в корпусе TO-220

Надеемся, что продукция CR MICRO будет по достоинству оценена российскими производителями бытовой техники и силовых устройств для электроэнергетики и промышленного оборудования.