Вход / Регистрация

CS21N06A4

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS21N06 A4 General Description： VDSS 60 V Enhanced ID 21 A VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench PD 31 W technology which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 33 mΩ CS21N06 A4, the silicon N-channel performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: TO252

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= WMO80N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P= WMO25N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- NCE6020AK (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- JMTK480N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- WMO50N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- YJD20N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
P- CJU20N06A (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS21N06 A4 General Description： VDSS 60 V Enhanced ID 21 A VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench PD 31 W technology which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 33 mΩ CS21N06 A4, the silicon N-channel performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM applications.. The package form is TO-252, which accords with the RoHS standard. Features： l Fast Switching l Low ON Resistance(Rdson≤45mΩ) l Low Gate Charge l Low Reverse transfer capacitances l 100% Single Pulse avalanche energy Test Applications： Power switch circuit of adaptor and charger. Absolute（Tj= 25℃ unless otherwise specified） Symbol Parameter VDSS ID IDM Rating Units Drain-to-Source Voltage 60 V Continuous Drain Current Tc= 25°C 21 A 13.7 A 84 A ±20 V 42.25 mJ Power Dissipation Tc = 25°C 31 W Derating Factor above 25°C 0.248 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ Continuous Drain Current Tc = 100 °C a1 VGS EAS Pulsed Drain Current Tc= 25°C Gate-to-Source Voltage a2 PD TJ，T stg Avalanche Energy Operating Junction and Storage Temperature Range W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Pag e 1 of 1 0 2 0 1 9 V0 1 PDF
Документация на CS21N06A4 

CS21N06%20A4[1]

Дата модификации: 20.12.2019

Размер: 428.6 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.