WMO25N06TS

WMO25N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO25N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain D superior switching performance. S G TO-252 Features ⚫ VDS = 60V, ID = 25A ⚫ RDS(on) < 32mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 40mΩ @ VGS = 4.5V ⚫ Green Device Available ⚫ 100% EAS Guarante...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 50

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJU20N06A (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
P= CS21N06A4 (CRMICRO)
 
TO252
 
P= YJD20N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
P= WMO50N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- NCE6020AI (NCE)
 
TO251 в линейках 100 шт
 
±
P- CJU07N06 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
P- CJU50N06A (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
P- CJU70N06 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
P- CJU40SN06 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
P- YJD50N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
P- YJD90N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
P- WMO80N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- YJD80G06C (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
P- CS55N06A3 (CRMICRO)
 
TO251
 
P- NCE6080AK (NCE)
 
TO252
 
±
P- NCE6050IA (NCE)
 
TO251
 
±
P- IRLU2905PBF (JSMICRO)
 

IRLU2905PBF (INFIN)
 
P- CS25N06C4 (CRMICRO)
 
TO252
 
P- JMTK110N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- JMTK290N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- JMTI290N06A (JIEJIE)
 
TO2513L 75 шт
 
P- JMTK480N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- IRLR2905TR (YOUTAI)
 

IRLR2905TR (INFIN)
TO252 в ленте 40 шт
 
P- CRTD085N06N2-G (CRMICRO)
 
TO252
P- IRLR2705TRPBF-VB (VBSEMI)
 
 
P- JMTK58N06B (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
P- NCE6050KA (NCE)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
P- NCE6020AK (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
P- IRLR3705Z (EVVO)
 

IRLR3705Z (INFIN)
TO252 2500 шт
 
P- IRLR2705 (EVVO)
 

IRLR2705 (INFIN)
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- YJD60N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- IRLR2705TRPBF (JSMICRO)
 

IRLR2705TRPBF (INFIN)
 
A+ 25N06 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ WMK25N06TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ YJG30N06A (YJ)
 
10 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ IRFZ44N (EVVO)
 

IRFZ44N (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
A+ NCE6050A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ 50N06 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ 40N06 (YOUTAI)
 
TO252 1 шт
 
±
A+ 30N06 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ WMO35N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJQ45G06A (YJ)
 
DFN30308 в ленте 800 шт
 
A+ STD30NF06L (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт ±
A+ IRFZ44NS (YOUTAI)
 

IRFZ44NS (INFIN)
в ленте 70 шт
 
A+ WMB26N06TS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ30N06TS (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ098N06LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMK50N06TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ STD20NF06L (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ CJAB25SN06 (JSCJ)
 
100 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.