NCE6020AK

NCE6020AK http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6020AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram ● VDS =60V,ID =20A RDS(ON) <23mΩ @ VGS=10V RDS(ON) <30mΩ @ VGS=4.5V ● High density cell design for ultra...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMO25N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- JMTK480N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- CJU20N06A (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
P- IRFR024NTR (YOUTAI)
 

IRFR024NTR (INFIN)
в ленте 173 шт
P- WMO50N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- YJD20N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 20 шт
P- CS21N06A4 (CRMICRO)
 
TO252
 
A+ JMTG170N06A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
A+ JMTK330N06A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
A+ WMO35N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJR20N06A (YJ)
 
TO251 в линейках 4950 шт
A+ CJAB25SN06 (JSCJ)
 
100 шт
 
A+ CJAE28SN06 (JSCJ)
 
 
±
A+ FQD20N06 (YOUTAI)
 
TO-252-3
A+ AOD442 (YOUTAI)
 
TO-252-3
A+ 35N06 (YOUTAI)
 
TO252
A+ YJG30N06A (YJ)
 
10 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ JMTK290N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ STD30NF06L (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт ±
A+ STD35NF06L (YOUTAI)
 
 
±
A+ WMQ30N06TS (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ JMTQ35N06A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCE6020AK http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6020AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram ● VDS =60V,ID =20A RDS(ON) <23mΩ @ VGS=10V RDS(ON) <30mΩ @ VGS=4.5V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation ● Special process technology for high ESD capability Marking and pin assignment Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! TO-252-2L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE6020AK NCE6020AK TO-252-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V (TC=25℃) Drain Current-Continuous ID (TC=100℃) IDM Pulsed Drain Current(Note 1) Maximum Power Dissipation (Note 6) (TC=25℃) PD (TC=100℃) Derating factor Avalanche Current (Note 5) Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range 20 14 60 45 22 A A W 0.3 W/℃ IAS 17 A EAS 57 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 3.3 ℃/W RθJA 60 ℃/W Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case Thermal Resistance,Junction-to-Ambient Wuxi NCE Power Co., Ltd (Note 2) Page 1 V6.0 PDF
Документация на NCE6020AK 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 28.01.2023

Размер: 714.3 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 марта
    новость

    На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

    Продукция китайского фаблесс–производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.