NCE6020AK
NCE6020AK
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE6020AK uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
Schematic diagram
● VDS =60V,ID =20A
RDS(ON) <23mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) <30mΩ @ VGS=4.5V
● High density cell design for ultra...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO252 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 27
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | WMO25N06TS (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | JMTK480N06A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
P- | CJU20N06A (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
P- | IRFR024NTR (YOUTAI) IRFR024NTR (INFIN) | — | в ленте 173 шт |
| — | — | |||||||||||
P- | WMO50N06TS (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | YJD20N06A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | JMSL0612AG-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJAB25SN06 (JSCJ) | — | 100 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | FQD20N06 (YOUTAI) | — | в ленте 5 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | JMTI290N06A (JIEJIE) | TO2513L | 75 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSL0612AUQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMTG170N06A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJQ18SN06 (JSCJ) | SO-8 SOIC8 |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMO35N06T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | YJR20N06A (YJ) | TO251 | в линейках 4950 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | CJAE35SN06 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | AOD442 (YOUTAI) | TO-252-3 |
| — | — | ||||||||||||
A+ | STD35NF06L (YOUTAI) | — | 1 шт | — | ± | — | — | — | |||||||||
A+ | CJU40SN06 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAE28SN06 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJG30N06A (YJ) | — | 10 шт | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | NCE6020A (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMTK290N06A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | STD30NF06L (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| ± | — | — | — | |||||||||
A+ | 35N06 (YOUTAI) | TO252 |
| — | — | ||||||||||||
A+ | WMQ30N06TS (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | JMTK330N06A (JIEJIE) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE6020AK
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 28.01.2023
Размер: 714.3 Кб
8 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.