YJD20N06A

RoHS YJD20N06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 20A <43mohm <47mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epox...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 29

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMO25N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P= WMO80N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- NCE6020AK (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
P- CS21N06A4 (CRMICRO)
 
TO252
 
P- IRFR024NTR (YOUTAI)
 

IRFR024NTR (INFIN)
в ленте 173 шт
P- CJU20N06A (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
P- WMO50N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- JMTK480N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ CJAE35SN06 (JSCJ)
 
 
±
A+ YJR20N06A (YJ)
 
TO251 в линейках 4950 шт
A+ JMSL0612AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ 2SK1257 (PAN)
 
TO-220-3 TO-220AB
 
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ CJAB25SN06 (JSCJ)
 
100 шт
 
A+ CJU40SN06 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ CJQ18SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ AOD442 (YOUTAI)
 
TO-252-3
A+ STD35NF06L (YOUTAI)
 
1 шт
 
±
A+ 35N06 (YOUTAI)
 
TO252
A+ YJG30N06A (YJ)
 
10 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CJAE28SN06 (JSCJ)
 
 
±
A+ FQD20N06 (YOUTAI)
 
в ленте 5 шт
A+ YJG20N06A (YJ)
 
1 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ NCE6020A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ JMTK290N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ 25N06 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ STD30NF06L (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт ±
A+ WMQ30N06TS (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO35N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ JMSL0612AUQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 

Файлы 2

показать свернуть

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.