YJD20N06A

SUNCOYJ
RoHS YJD20N06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 20A ＜43mohm ＜47mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epox...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJD120N04A
Внешний вид YJD120N04A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMO25N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
P= WMO80N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
P- NCE6020AK (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — — —
P- CS21N06A4 (CRMICRO)
 
TO252
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRFR024NTR (YOUTAI)
 

IRFR024NTR (INFIN) 		— в ленте 173 шт — —
P- CJU20N06A (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
 ± — — — — —
P- WMO50N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
P- JMTK480N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — —
A+ AOD442 (YOUTAI)
 
TO-252-3 — —
A+ YJR20N06A (YJ)
 
TO251 в линейках 4950 шт — —
A+ JMTG170N06A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0609AU-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
 — — — —
A+ CJAB25SN06 (JSCJ)
 
— 100 шт
 
 — —
A+ FQD20N06 (YOUTAI)
 
TO-252-3 — —
A+ STD35NF06L (YOUTAI)
 
—
 
 — ± — — —
A+ 35N06 (YOUTAI)
 
TO252 — —
A+ CJAE28SN06 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ YJG30N06A (YJ)
 
— 10 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ YJG20N06A (YJ)
 
— 1 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ JMTK290N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — —
A+ STD30NF06L (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт ± — — —
A+ 25N06 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — —
A+ WMQ30N06TS (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMO35N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJD20N06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 20A ＜43mohm ＜47mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Backlighting ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 20 TC=25℃ Drain Current A ID 12 TC=100℃ Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 60 A 28 W 11 W PD TC=100℃ Single Pulse Avalanche Energy B EAS 30 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case C RθJC 4.4 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD20N06A F1/F2 YJD20N06A 2500 / 25000 13“ reel 1/7 S-E631 Rev.3.1,19-Mar-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD20N06A 

Microsoft Word - YJD20N06A

Дата модификации: 22.03.2022

Размер: 448.6 Кб

7 стр.

RoHS COMPLIANT YJD20N06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 20A ＜43mohm ＜47 mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Backlighting ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 20 TC=25℃ Drain Current ID A TC=100℃ 14 Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 60 A 34 W 17 W PD TC=100℃ Single Pulse Avalanche Energy B EAS 20 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case C RθJC 4.4 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+175 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD20N06A F2 YJD20N06A 2500 / 25000 13“ reel 1/6 S-B1109 Rev.2.1,25-Dec-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD20N06A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 12.03.2019

Размер: 617.8 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)