JMTK480N06A

JIEJIE
JMTK480N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Applications Features  60V, 15A  Load Switch RDS(ON) < 56.9mΩ @ VGS = 10V  RDS(ON) < 62.5mΩ @ VGS = 4.5V  PWM Application Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead Free  100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! D G S TO-252-3L(DPAK) Top View Schematic Dia...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMO25N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
P- CJU20N06A (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
 ± — — — — —
P- NCE6020AK (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — — —
P- WMO50N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
P- YJD20N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт — —
P- CS21N06A4 (CRMICRO)
 
TO252
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ 20N06 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт ± — — —
A+ YJR20N06A (YJ)
 
TO251 в линейках 4950 шт — —
A+ YJG30N06A (YJ)
 
— 10 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ YJG20N06A (YJ)
 
— 1 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ NCE6020A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
A+ JMTK290N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — —
A+ 25N06 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — —
A+ WMB26N06TS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ STD30NF06L (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт ± — — —
A+ 30N06 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — —
A+ CJQ14SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
A+ WMS076N06LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WMQ30N06TS (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMQ20N06TS (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WML18N06TS (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ STD20NF06L (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — —
A+ WMK25N06TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — — —
A+ CJAB25SN06 (JSCJ)
 
— 100 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTK480N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Applications Features  60V, 15A  Load Switch RDS(ON) < 56.9mΩ @ VGS = 10V  RDS(ON) < 62.5mΩ @ VGS = 4.5V  PWM Application Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead Free  100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! D G S TO-252-3L(DPAK) Top View Schematic Diagram Marking and Pin Assignment Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package JMTK480N06A JMTK480N06A TAPING TO-252-3L Reel Size Reel(pcs) 13" 2500 Per Carton (pcs) 25000 Absolute Maximum Ratings (@ TC = 25°C unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-to-Source Voltage 60 V VGS Gate-to-Source Voltage ±20 V ID IDM EAS PD Continuous Drain Current TC = 25°C 15 TC = 100°C 10 Pulsed Drain Current (1) Single Pulsed Avalanche Energy Power Dissipation 60 A 17.6 mJ TC = 25°C 25.5 W (3) 36 (2) RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJC Thermal Resistance, Junction to Case 4.9 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range -55 to 150 JieJie Microelectronics Co., Ltd A 1 °C/W °C Version：1.1 PDF
Документация на JMTK480N06A 

Дата модификации: 24.10.2023

Размер: 1.04 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 марта 2024
    новость

    Низковольтные MOSFET JJMicroelectronics доступны со склада КОМПЭЛ

    Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JJMicroelectronics) – известный китайский производитель дискретных полупроводников и силовых модулей. Она была основана в г. Цидун в 1995 году и производит MOSFET–транзисторы, диодные и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)