CS5N90A4R

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS5N90 A4R General Description： CS5N90 A4R, the silicon VDSS N-channel Enhanced 900 V 5 A ID VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD(TC=25℃) 180 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 2.2 Ω performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switchin...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMO90R1K1S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
P- WMO7N65D1B (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ CJPF08N90M1 (JSCJ)
 
TO-220F-B
 
 ± — — — —
A+ WMO90R500S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS5N90 A4R General Description： CS5N90 A4R, the silicon VDSS N-channel Enhanced 900 V 5 A ID VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD(TC=25℃) 180 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 2.2 Ω performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-252, which accords with the RoHS standard. Features： l Fast Switching l Low ON Resistance(Rdson≤2.5Ω) l Low Gate Charge (Typical Data: 30.1nC) l Low Reverse transfer capacitances(Typical:6.4pF) l 100% Single Pulse avalanche energy Test Applications： Power switch circuit of adaptor and charger. Absolute（TJ= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS Drain-to-Source Voltage ID IDM a1 VGS EAS a2 dv/dt a3 PD TJ，T stg Rating Units 900 V Continuous Drain Current T C = 25 °C 5 A Continuous Drain Current T C = 100 °C 3.1 A Pulsed Drain Current T C = 25 °C 20 A Gate-to-Source Voltage ±30 V Single Pulse Avalanche Energy 336 mJ Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns Power Dissipation T C = 25 °C 180 W Derating Factor above 25°C 1.44 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ Operating Junction and Storage Temperature Range W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Pag e 1 of 1 0 2 0 1 9 V0 1 PDF
Документация на CS5N90A4R 

CS5N90%20A4R[1]

Дата модификации: 25.12.2019

Размер: 403.1 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)