WMO90R1K1S

WMM9 90R1K1S, WMN90R1 1K1S, WM MK90R1K1S WML9 90R1K1S, WMP90R1 1K1S, WM MO90R1K1S 900V V 0.9Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM S is Wayyon’s new generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low gate g charge e performan nce. WMOS S G D S is S G TO-22 20F suitable fo or appl...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMO7N65D1B (WAYON)
 
 
P= WMO10N60C4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P= WMO08N70C4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P= WMO3N50D1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ TSM7N90CI C0G (TSC)
 
A+ TSM7N90CZ C0G (TSC)
 
TO-220-3
 
A+ TSM9N90ECI C0G (TSC)
 
A+ WML12N105C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML12N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML10N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMO10N100C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMK10N100C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMP09N90C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ CJPF08N90M1 (JSCJ)
 
TO-220F-B
 
±
A+ WMJ90R500S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMO90R500S (WAYON)
 
TO252 в коробках 1000 шт
 
A+ WML90R500S (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WMO90R830S (WAYON)
 
TO252
 
A+ WML90R1K1S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
WMM9 90R1K1S, WMN90R1 1K1S, WM MK90R1K1S WML9 90R1K1S, WMP90R1 1K1S, WM MO90R1K1S 900V V 0.9Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM S is Wayyon’s new generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low gate g charge e performan nce. WMOS S G D S is S G TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior D S G TO O-262 D G TO-26 63 VDS =9 950V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.9Ω Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e TO-220 T S S G  S D power density and outstanding efficiency. Features D D S TO O-251 G TO-252 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WMx90R1K1S WML L90R1K1S Unit VDSSS 900 V ID 6 A 3 A IDM M 20 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 83 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.15 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 1.6 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current1) Diode pulse e current 2) 70 29 W 0.56 0.23 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 6 A IS,puulse 20 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMx90R1K1S WML L90R1K1S Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 1.8 4.3 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 2021 Doc.W08 890028 1 / 13 PDF
Документация на WMO90R1K1S 

Microsoft Word - WMx90R1K1S W0890028 V2.0

Дата модификации: 26.10.2022

Размер: 669.9 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.