HPF800R450PD-G

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ HPF800R450PD-G General Description ： VDSS(Tjmax) 850 V ID 11 A MOSFETs, is obtained by the super junction technology which P D(TC=25℃) 215 W reduces the conduction loss, improve switching performance and RDS(ON)Typ 0.38 Ω Eoss@400V 2.7 uJ HPF800R450PD-G, the silicon N-channel Enhanced enhance the avalanche energy. The transistor can be u...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMJ10N80D1 (WAYON)
 
— в линейках 30 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= NCE80T320T (NCE)
 
TO-247-3
 
 — — — — — — — — — — — —
P- SPW11N80C3FKSA1-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WMK80R350S (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — — — —
P- WMJ80R350S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ TSM80N400CF C0G (TSC)
 
ITO220 50 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ HPF800R450PD-G General Description ： VDSS(Tjmax) 850 V ID 11 A MOSFETs, is obtained by the super junction technology which P D(TC=25℃) 215 W reduces the conduction loss, improve switching performance and RDS(ON)Typ 0.38 Ω Eoss@400V 2.7 uJ HPF800R450PD-G, the silicon N-channel Enhanced enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package type is TO-247, which accords with the RoHS standard. Features：  Fast Switching  Low Gate Charge  Low Reverse transfer capacitances  100% Single Pulse avalanche energy Test  Halogen Free  Zener-Protected Applications： Power switch circuit of adaptor, charger and LED. Absolute（Tj= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS Drain-to-Source Voltage( V GS= 0V) Rating Units 800 V Continuous Drain Current TC = 25 °C 11 A Pulsed Drain Current TC = 25 °C 33 A Gate-to-Source Voltage ±30 V Single Pulse Avalanche Energy 350 mJ Peak Diode Recovery dv/dt 15 V/ns dv/dt MOSFET dv/dt ruggedness 50 V/ns dif/dt Maximum diode communication speed 500 A/us PD Power Dissipation(T C=25°C) 215 W VESD(G-S) Gate source ESD (HBM-C= 100pF, R=1.5kΩ) 3000 V TJ，Tstg Operating and Storage Temperature Range –55…+150 ℃ TL Maximum Temperature for Soldering 300 ℃ ID a1 a2 IDM VGSS EAS a3 dv/dt a4 W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Page 1 of 10 2 0 20 V0 1 PDF
Документация на HPF800R450PD-G 

产品特点：

Дата модификации: 25.12.2020

Размер: 851.8 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)