BC817-16

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO236
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-16 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-16 (JSCJ)
 
 
P= BC817-25 (JSCJ)
 
 
P= BC817-25 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-25Q (YJ)
 
127 шт
 
P= BC337-40 (DC)
 
TO-92-3 в коробках 1000 шт
 
P= BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817G-40-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-40 (JSCJ)
 

BC817 (JSCJ)
 
P= BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= LBC817-40LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BCX19 (JSCJ)
 

BCX19 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 3000 шт
 
P= BC817-40 (YJ)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.