BC857C

DC Components
DC COMPONENTS CO., LTD. BC857 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for switching and AF amplifier amplification suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. SOT-23 Pinning .020(0.50) .012(0.30) 1 = Base 2 = Emitter 3 = Collector 3 .108(0.65) .089(0.25) .063(1.60) .055(1.40) 1 2 Absolute Maxi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC857C (YJ)
 

BC857C (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= BC857A (JSCJ)
 

BC857A (DIODES) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
P= BC857 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= BC857C (SHIKUES)
 

BC857C (ONS-FAIR) 		—
 
 — — — — — — — — — — —
P= BC857B (YOUTAI)
 
— 10 шт
 
 — — — —
P= BC857B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= BC857A (YJ)
 

BC857A (DIODES) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
P= LBC857BLT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
P= BC857B (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
P= BC857B (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= BC857CQ (YJ)
 
—
 
 — — — —
P= BC860B (SHIKUES)
 
SOT-23-3 750 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= BC807-16 (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= L9015RLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP
P= S9015 (YOUTAI)
 
—
 
 — — — —
P= S9015 SOT-23 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
P= BC817 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
DC COMPONENTS CO., LTD. BC857 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for switching and AF amplifier amplification suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. SOT-23 Pinning .020(0.50) .012(0.30) 1 = Base 2 = Emitter 3 = Collector 3 .108(0.65) .089(0.25) .063(1.60) .055(1.40) 1 2 Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V .091(2.30) .067(1.70) Collector-Emitter Voltage VCEO -45 V .118(3.00) .110(2.80) Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current IC -100 mA mW .045(1.15) .034(0.85) .0043(0.11) .0035(0.09) .051(1.30) .035(0.90) Total Power Dissipation PD 225 Junction Temperature TJ +150 o .026(0.65) .010(0.25) Storage Temperature TSTG -55 to +150 o Dimensions in inches and (millimeters) C C .004 Max (0.10) .027(0.67) .013(0.32) Electrical Characteristics o (Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Collector-Base Breakdown Volatge BVCBO -50 - - V Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO -45 - - V IC=-1mA Emitter-Base Breakdown Volatge BVEBO -5 - - V IE=-1µA Collector Cutoff Current (1) Collector-Emitter Saturation Voltage (1) Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Test Conditions IC=-10µA ICBO - - -15 nA VCB=-30V VCE(sat)1 - -90 -300 mV IC=-10mA, IB=-0.5mA VCE(sat)2 - -250 -650 mV IC=-100mA, IB=-5mA VBE(sat)1 - -700 - mV IC=-10mA, IB=-0.5mA VBE(sat)2 - -900 - mV IC=-100mA, IB=-5mA VBE(on)1 -600 - -750 mV IC=-2mA, VCE=-5V VBE(on)2 - - -820 mV IC=-10mA, VCE=-5V (1) DC Current Gain hFE 110 - 800 - IC=-2mA, VCE=-5V Transition Frequency fT - 150 - MHz IC=-10mA, VCE=-5V Output Capacitance Cob - - 6 pF (1)Pulse Test: Pulse Width 380µs, Duty Cycle 2% Classification of hFE Rank A B C Range 110~250 200~475 420~800 VCB=-10V, f=1MHz, IE=0 PDF
Документация на BC857B 

Дата модификации: 06.12.2002

Размер: 227.3 Кб

1 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC327-25 (DC)